| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第7-8页 |
| ·金刚石的性质 | 第8-11页 |
| ·碳的P-T相图和CVD金刚石的化学反应 | 第11-12页 |
| ·人工合成金刚石的研究进展 | 第12-13页 |
| ·金刚石在电学方面的应用存在的问题 | 第13-14页 |
| ·论文的选题及主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 实验设备简介及金刚石的表征 | 第15-22页 |
| ·CVD金刚石膜的制备技术简介 | 第15-17页 |
| ·MPCVD的分类及直接侧耦合石英管式MPCVD装置 | 第17-20页 |
| ·CVD金刚石膜的主要表征手段 | 第20-22页 |
| 第三章 掺硼金刚石膜的制备及性质研究 | 第22-32页 |
| ·掺硼金刚石膜的制备 | 第22-24页 |
| ·不同掺硼浓度金刚石膜形貌及光发射谱研究 | 第24-27页 |
| ·掺硼金刚石膜的XRD和Raman研究 | 第27-29页 |
| ·掺硼金刚石膜电学性质的研究 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第四章 高CH_4浓度条件下制备纳米金刚石膜及电学性质研究 | 第32-49页 |
| ·高CH_4浓度条件下制备本征纳米金刚石膜 | 第32-37页 |
| ·低的N_2浓度对高CH_4条件下纳米金刚石膜的影响 | 第37-40页 |
| ·高N_2浓度条件下制备纳米金刚石膜及电学性质研究 | 第40-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 全文总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 摘要 | 第61-63页 |
| Abstract | 第63-64页 |
