| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 量子点概述 | 第13-14页 |
| 1.3 量子点的特性 | 第14-15页 |
| 1.3.1 小尺寸效应 | 第14页 |
| 1.3.2 表面效应 | 第14-15页 |
| 1.3.3 量子尺寸效应 | 第15页 |
| 1.3.4 量子隧道效应 | 第15页 |
| 1.4 量子点的合成方法 | 第15-16页 |
| 1.5 发光量子点的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5.1 研究热点 | 第16页 |
| 1.5.2 量子点在照明应用中的前景 | 第16页 |
| 1.5.3 量子点在生物领域上的应用 | 第16-17页 |
| 1.6 量子点发光二极管的结构和发光机理 | 第17-18页 |
| 1.7 课题思路和主要工作 | 第18-20页 |
| 第2章 实验方法及材料表征 | 第20-25页 |
| 2.1 CdSe、CdSe/ZnS及CdZnSeS量子点的制备过程 | 第20-21页 |
| 2.1.1 制备过程 | 第20页 |
| 2.1.2 实验仪器及装置 | 第20-21页 |
| 2.1.3 实验药品及试剂 | 第21页 |
| 2.2 QLED的制作 | 第21-22页 |
| 2.2.1 实验原理 | 第21页 |
| 2.2.2 实验药品及试剂 | 第21-22页 |
| 2.2.3 QLED制备相关操作设备 | 第22页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第22-23页 |
| 2.3.1 荧光光谱 | 第22页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第22页 |
| 2.3.3 紫外-可见吸收光谱 | 第22页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第22-23页 |
| 2.3.5 红外光谱 | 第23页 |
| 2.3.6 荧光寿命 | 第23页 |
| 2.4 QLED器件性能测试 | 第23-25页 |
| 2.4.1 电致发光光谱的测量 | 第23页 |
| 2.4.2 亮度的测量 | 第23页 |
| 2.4.3 电流密度的测量 | 第23页 |
| 2.4.4 发光效率的测量 | 第23-25页 |
| 第3章 CdSe量子点的制备与表征 | 第25-32页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 CdSe量子点的合成 | 第25-26页 |
| 3.3 CdSe量子点的性能研究 | 第26-30页 |
| 3.3.1 CdSe量子点的XRD图像 | 第26页 |
| 3.3.2 CdSe量子点的发射光谱 | 第26-27页 |
| 3.3.3 CdSe量子点的激发光谱 | 第27页 |
| 3.3.4 CdSe量子点的紫外-可见吸收光谱 | 第27-28页 |
| 3.3.5 CdSe量子点的形貌 | 第28-29页 |
| 3.3.6 CdSe量子点的荧光寿命 | 第29-30页 |
| 3.3.7 CdSe量子点的红外光谱 | 第30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第4章 CdSe/ZnS量子点的制备与表征 | 第32-39页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 CdSe/ZnS量子点的合成 | 第32-33页 |
| 4.3 CdSe/ZnS量子点的性能研究 | 第33-37页 |
| 4.3.1 CdSe/ZnS量子点的XRD图像 | 第33页 |
| 4.3.2 CdSe/ZnS量子点的发射光谱 | 第33-34页 |
| 4.3.3 CdSe/ZnS量子点的形貌 | 第34页 |
| 4.3.4 CdSe/ZnS量子点的紫外-可见吸收光谱 | 第34-36页 |
| 4.3.5 CdSe/ZnS量子点的红外光谱 | 第36页 |
| 4.3.6 CdSe/ZnS量子点的荧光寿命 | 第36-37页 |
| 4.4 壳层厚度对CdSe/ZnS性能的影响 | 第37-38页 |
| 4.4.1 CdSe/ZnS量子点的发射光谱 | 第37页 |
| 4.4.2 CdSe/ZnS量子点的紫外可见吸收光谱 | 第37-38页 |
| 4.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 红光CdZnSeS量子点的制备与表征 | 第39-45页 |
| 5.1 引言 | 第39页 |
| 5.2 CdZnSeS量子点的合成 | 第39-40页 |
| 5.3 合金量子点的表征 | 第40-44页 |
| 5.3.1 CdZnSeS量子点的XRD图像 | 第40-41页 |
| 5.3.2 CdZnSeS量子点的形貌 | 第41-42页 |
| 5.3.3 CdZnSeS量子点的激发光谱 | 第42页 |
| 5.3.4 CdZnSeS量子点的发射光谱 | 第42-43页 |
| 5.3.5 CdZnSeS量子点的紫外-可见吸收光谱 | 第43页 |
| 5.3.6 CdZnSeS量子点的荧光寿命 | 第43-44页 |
| 5.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第6章 基于红光CdZnSeS量子点的QLED器件 | 第45-57页 |
| 6.1 引言 | 第45页 |
| 6.2 QLED器件的组成结构 | 第45-46页 |
| 6.3 QLED的能级图 | 第46页 |
| 6.4 器件的电致光谱图 | 第46-47页 |
| 6.5 QLED器件的制备流程 | 第47-48页 |
| 6.5.1 ITO玻璃基片的清洗 | 第47页 |
| 6.5.2 镀膜 | 第47页 |
| 6.5.3 镀铝蒸汽及封装 | 第47-48页 |
| 6.6 QLED器件的性能测试 | 第48-56页 |
| 6.6.1 发光层浓度对器件发光特性的影响 | 第48-49页 |
| 6.6.2 发光层转速对器件发光特性的影响 | 第49-50页 |
| 6.6.3 电子传输层(ZnO)浓度对器件发光特性的影响 | 第50-51页 |
| 6.6.4 电子传输层(ZnO)转速对器件发光特性的影响 | 第51-52页 |
| 6.6.5 空穴传输层(TFB)浓度对器件发光特性的影响 | 第52-53页 |
| 6.6.6 空穴传输层(TFB)转速对器件发光特性的影响 | 第53-54页 |
| 6.6.7 电子阻挡层(TPD)浓度对器件发光特性的影响 | 第54-55页 |
| 6.6.8 电子阻挡层(TPD)转速对器件发光特性的影响 | 第55-56页 |
| 6.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 结语 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
