| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 半金属材料的特征和种类 | 第13-17页 |
| 1.2.1 半金属材料的基本特征 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半金属材料的种类 | 第14-17页 |
| 1.3 拓扑绝缘体材料的特征和种类 | 第17-19页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体材料的基本特征 | 第17-18页 |
| 1.3.2 拓扑绝缘体材料的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.4 研究依据、意义和目的 | 第19-21页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第21-25页 |
| 第二章 密度泛函理论 | 第25-31页 |
| 2.1 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法 | 第25-29页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi 模型 | 第25-26页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn 定理 | 第26-27页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham 方程 | 第27-28页 |
| 2.1.4 交换关联能 | 第28页 |
| 2.1.5 局域密度近似（LDA） | 第28-29页 |
| 2.1.6 广义梯度近似（GGA） | 第29页 |
| 2.2 第一性原理软件 VASP 简介 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 Te 基半哈斯勒结构的半金属材料稳健性的第一性原理研究 | 第31-41页 |
| 3.1 研究背景简介 | 第31页 |
| 3.2 计算方法和细节 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-39页 |
| 3.3.1 XYTe 半哈斯勒化合物 | 第32-36页 |
| 3.3.2 CoMnTe 和 FeMnTe 的半金属稳定性 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 半哈斯勒结构的拓扑绝缘体材料的理论研究 | 第41-51页 |
| 4.1 研究背景简介 | 第41-42页 |
| 4.2 计算方法和细节 | 第42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-50页 |
| 4.3.1 MM’X 半哈斯勒化合物的能带反转强度和带隙情况 | 第42-47页 |
| 4.3.2 LiAuS 和 NaAuS 体系的电子特性 | 第47-49页 |
| 4.3.3 二维应变作用对 LiAuS 和 NaAuS 体系能带反转强度和带隙的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附件 | 第66页 |
