VHF-PECVD法制备非晶硅锗薄膜材料的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 太阳能电池的发展现状 | 第7-10页 |
| 1.2 硅基薄膜面临的若干问题与解决方案 | 第10-11页 |
| 1.3 硅锗薄膜太阳电池研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文主要研究内容及组织架构 | 第12-13页 |
| 第二章 薄膜实验制备方法及生长原理介绍 | 第13-18页 |
| 2.1 薄膜制备方法及原理 | 第13-15页 |
| 2.1.1 等离子体概述 | 第13页 |
| 2.1.2 薄膜制备方法介绍 | 第13-15页 |
| 2.2 薄膜生长原理 | 第15-18页 |
| 2.2.1 薄膜的生长原理与模式 | 第15-16页 |
| 2.2.2 硅锗薄膜生长原理 | 第16-18页 |
| 第三章 薄膜的制备及测试原理 | 第18-31页 |
| 3.1 薄膜的制备 | 第18-26页 |
| 3.1.1 实验材料 | 第18-19页 |
| 3.1.2 实验设备 | 第19-22页 |
| 3.1.3 实验流程 | 第22-26页 |
| 3.2 硅锗薄膜材料的测试原理 | 第26-31页 |
| 3.2.1 薄膜厚度的测试 | 第26-28页 |
| 3.2.2 薄膜微结构的测试 | 第28-29页 |
| 3.2.3 薄膜电导率的测试 | 第29-31页 |
| 第四章 非晶硅锗薄膜材料的光电特性研究 | 第31-54页 |
| 4.1 锗烷浓度对非晶硅锗薄膜材料特性的影响 | 第32-36页 |
| 4.1.1 制备工艺 | 第32页 |
| 4.1.2 薄膜样品的微结构 | 第32-34页 |
| 4.1.3 薄膜厚度和生长速率 | 第34-35页 |
| 4.1.4 电导率和光敏性 | 第35-36页 |
| 4.2 氢稀释对非晶硅锗薄膜材料性能的影响 | 第36-41页 |
| 4.2.1 制备工艺 | 第36页 |
| 4.2.2 薄膜样品的微结构 | 第36-38页 |
| 4.2.3 薄膜厚度和生长速率 | 第38-39页 |
| 4.2.4 电导率和光敏性 | 第39-41页 |
| 4.3 衬底温度对非晶硅锗薄膜材料性能的影响 | 第41-46页 |
| 4.3.1 制备工艺 | 第41-42页 |
| 4.3.2 薄膜样品的微结构 | 第42-43页 |
| 4.3.3 薄膜厚度与沉积速率 | 第43-44页 |
| 4.3.4 电导率和光敏性 | 第44-46页 |
| 4.4 辉光功率对非晶硅锗薄膜材料性能的影响 | 第46-50页 |
| 4.4.1 制备工艺 | 第46页 |
| 4.4.2 薄膜样品的微结构 | 第46-47页 |
| 4.4.3 薄膜厚度和生长速率 | 第47-48页 |
| 4.4.4 电导率和光敏性 | 第48-50页 |
| 4.5 气体压强对非晶硅锗薄膜材料性能的影响 | 第50-54页 |
| 4.5.1 制备工艺 | 第50页 |
| 4.5.2 薄膜样品的微结构 | 第50-51页 |
| 4.5.3 薄膜厚度和生长速率 | 第51-52页 |
| 4.5.4 电导率和光敏性 | 第52-54页 |
| 第五章 结论和展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 硕士期间参与的课题研究 | 第63页 |
