| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-49页 |
| 1.1 二维层状化合物介绍 | 第12-21页 |
| 1.1.1 几种常见的二维层状化合物介绍 | 第13-20页 |
| 1.1.2 新型的Ⅳ-Ⅴ (SiP, SiAs,GeP, GeAs)二维层状化合物 | 第20-21页 |
| 1.2 常用制备单层(少层)二维材料的方法 | 第21-23页 |
| 1.3 第一性原理计算简介 | 第23-24页 |
| 1.4 二维材料各向异性性质研究及应用 | 第24-33页 |
| 1.4.1 常见二维材料的各向异性性质 | 第24-31页 |
| 1.4.2 二维材料各向异性应用 | 第31-33页 |
| 1.5 三元磷硅化合物CdSiP_2 (CSP)晶体生长 | 第33-38页 |
| 1.5.1 熔体法晶体生长——Bridgman法(布里奇曼法) | 第34-37页 |
| 1.5.2 助熔剂法晶体生长 | 第37-38页 |
| 1.6 本论文的研究意义、目的和内容 | 第38-39页 |
| 1.6.1 本论文的研究意义及目的 | 第38页 |
| 1.6.2 本论文的主要内容 | 第38-39页 |
| 1.7 参考文献 | 第39-49页 |
| 第二章 二维半导体o-SiP制备及基本性质表征 | 第49-71页 |
| 2.1 引言 | 第49页 |
| 2.2 o-SiP晶体生长 | 第49-50页 |
| 2.3 体块o-SiP性质的基本表征 | 第50-67页 |
| 2.4 本章小结 | 第67页 |
| 2.5 参考文献 | 第67-71页 |
| 第三章 o-SiP剥离及第一性原理计算 | 第71-83页 |
| 3.1 引言 | 第71-72页 |
| 3.2 利用第一性原理计算o-SiP带隙 | 第72-78页 |
| 3.3 o-SiP剥离实验 | 第78-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81页 |
| 3.5 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章 o-SiP面内各向异性Raman光谱及光响应研究 | 第83-93页 |
| 4.1 引言 | 第83-84页 |
| 4.2 o-SiP各向异性研究 | 第84-90页 |
| 4.2.1 Raman光谱的面内各向异性研究 | 第84-87页 |
| 4.2.2 光响应的面内各向异性研究 | 第87-90页 |
| 4.3 本章小结 | 第90-91页 |
| 4.4 引用文献 | 第91-93页 |
| 第五章 CdSiP_2多晶料合成与晶体生长 | 第93-115页 |
| 5.1 引言 | 第93-94页 |
| 5.2 CSP多晶料合成 | 第94-99页 |
| 5.2.1 方法及设备 | 第94-96页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第96-97页 |
| 5.2.3 CSP多晶料合成的结果与讨论 | 第97-99页 |
| 5.3 垂直Bridgman法生长CdSiP_2晶体 | 第99-106页 |
| 5.3.1 传统Bridgman法生长CSP晶体 | 第99-104页 |
| 5.3.2 加压Bridgman法生长CSP晶体 | 第104-106页 |
| 5.4 助熔剂法生长CSP晶体 | 第106-110页 |
| 5.5 本章小结 | 第110-111页 |
| 5.6 参考文献 | 第111-115页 |
| 第六章 总结与展望 | 第115-117页 |
| 6.1 主要结论 | 第115-116页 |
| 6.2 创新点 | 第116页 |
| 6.3 有待开展的工作 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第119-120页 |
| 附件 | 第120-126页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第126页 |
