摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第13-37页 |
1.1 GaN基激光器简介 | 第13-16页 |
1.2 GaN基激光器的发展 | 第16-21页 |
1.2.1 GaN基紫光激光器的发展 | 第17-18页 |
1.2.2 GaN基蓝光激光器的发展 | 第18-19页 |
1.2.3 GaN基绿光激光器的发展 | 第19-21页 |
1.3 GaN基激光器的光学损耗研究 | 第21-24页 |
1.3.1 GaN基激光器光学损耗的测量 | 第22-23页 |
1.3.2 GaN基激光器光学损耗的来源 | 第23页 |
1.3.3 降低GaN基激光器光学损耗的方法 | 第23-24页 |
1.4 GaN基激光器的载流子注入效率研究 | 第24-26页 |
1.4.1 载流子注入效率的测量 | 第25页 |
1.4.2 提升载流子注入效率的方法 | 第25-26页 |
1.5 本论文的研究内容、研究意义及工作安排 | 第26-28页 |
1.5.1 本论文的研究内容 | 第26页 |
1.5.2 本论文的研究意义 | 第26页 |
1.5.3 本论文的工作安排 | 第26-28页 |
参考文献 | 第28-37页 |
第二章 实验测试及模拟计算方法 | 第37-53页 |
2.1 实验测试方法 | 第37-45页 |
2.1.1 MOCVD简介 | 第37-41页 |
2.1.2 高分辨X射线衍射(HRXRD)简介 | 第41-43页 |
2.1.3 原子力显微镜(AFM)简介 | 第43-44页 |
2.1.4 光致发光(PL)简介 | 第44-45页 |
2.1.5 二次离子质谱(SIMS) | 第45页 |
2.2 激光器光学模拟简介 | 第45-48页 |
2.2.1 光学模拟方法 | 第45-46页 |
2.2.2 GaN基材料的折射率 | 第46-47页 |
2.2.3 光学损耗的计算 | 第47-48页 |
2.3 激光器电学模拟简介 | 第48-51页 |
2.3.1 电学模拟方程 | 第48-49页 |
2.3.2 电学仿真参数 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-53页 |
第三章 GaN基激光器的光学损耗研究 | 第53-75页 |
3.1 GaN基激光器外延片的光学损耗研究 | 第53-61页 |
3.1.1 GaN基激光器外延片光学损耗测试系统的搭建 | 第53-56页 |
3.1.2 GaN基激光器外延片光学损耗测试系统的误差分析 | 第56-57页 |
3.1.3 典型的GaN基激光器外延片的光学损耗测试结果 | 第57-58页 |
3.1.4 GaN基激光器光学损耗的来源 | 第58-60页 |
3.1.5 降低GaN基激光器外延片光学损耗的方法 | 第60-61页 |
3.2 GaN基激光器器件的光学损耗研究 | 第61-73页 |
3.2.1 激光器放大的自发辐射光谱简介 | 第61-65页 |
3.2.2 Hakki-Paoli法测试GaN基激光器器件光学损耗的原理 | 第65-66页 |
3.2.3 GaN基激光器放大的自发辐射光谱的测量及优化 | 第66-69页 |
3.2.4 GaN基激光器器件的光学损耗 | 第69-71页 |
3.2.5 脊型散射引起的光学损耗 | 第71-73页 |
3.3 本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-75页 |
第四章 绿光激光器的载流子注入效率研究 | 第75-93页 |
4.1 绿光激光器的空穴输运特性研究 | 第75-82页 |
4.1.1 绿光激光器的空穴溢出现象 | 第75-79页 |
4.1.2 抑制空穴溢出的新结构 | 第79-80页 |
4.1.3 空穴溢出的机制研究 | 第80-82页 |
4.2 绿光激光器波导层的载流子复合研究 | 第82-88页 |
4.2.1 绿光激光器波导层的载流子复合模拟研究 | 第82-85页 |
4.2.2 绿光激光器波导层的载流子复合实验研究 | 第85-87页 |
4.2.3 波导层的载流子复合对绿光激光器性能的影响 | 第87-88页 |
4.3 本章小结 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-93页 |
第五章 蓝光激光器的波导设计研究 | 第93-105页 |
5.1 插入GaN波导层厚度对蓝光激光器光学损耗的影响 | 第93-94页 |
5.2 插入GaN波导层厚度对蓝光激光器载流子注入效率的影响 | 第94-97页 |
5.3 上波导层背景载流子浓度对蓝光激光器载流子注入效率的影响 | 第97-99页 |
5.4 提升蓝光激光器载流子注入效率的新结构 | 第99-102页 |
5.5 插入波导层厚度对蓝光激光器性能影响的实验研究 | 第102页 |
5.6 本章小结 | 第102-104页 |
参考文献 | 第104-105页 |
第六章 AlGaN的MOCVD生长研究 | 第105-117页 |
6.1 边界层理论简介 | 第105-108页 |
6.2 总气流量、生长温度对AlGaN单层PL光学性质的影响 | 第108-111页 |
6.3 碳浓度对AlGaN单层PL光学性质的影响 | 第111-113页 |
6.4 本章小结 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-117页 |
第七章 全文总结与展望 | 第117-119页 |
7.1 本论文的研究成果 | 第117-118页 |
7.2 不足之处与展望 | 第118-119页 |
致谢 | 第119-121页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第121-123页 |