左手材料影响谐振腔内电磁场分布的研究
| 学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 左手材料的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 MPCVD装置的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 存在的问题和发展前景 | 第12-13页 |
| 1.3.1 左手材料存在的问题和发展前景 | 第12-13页 |
| 1.3.2 MPCVD装置存在的问题和发展前景 | 第13页 |
| 1.4 论文研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 1.4.1 本论文研究的主要内容 | 第14页 |
| 1.4.2 本论文的研究意义 | 第14页 |
| 1.5 本章总结 | 第14-16页 |
| 第二章 左手材料的基本理论 | 第16-24页 |
| 2.1 左手材料的性质 | 第16-19页 |
| 2.1.1 电磁波在左手材料中的传播特性 | 第16-17页 |
| 2.1.2 左手材料的色散特性 | 第17页 |
| 2.1.3 左手材料的负折射现象 | 第17页 |
| 2.1.4 左手材料的完美成像特性 | 第17-18页 |
| 2.1.5 左手材料的逆多普勒效应 | 第18页 |
| 2.1.6 反常Goos-Hanchen位移 | 第18-19页 |
| 2.2 左手材料的结构特点以及人工实现历程 | 第19-22页 |
| 2.2.1 结构贴片型 | 第19-20页 |
| 2.2.2 传输线集成型 | 第20页 |
| 2.2.3 铁氧体复合型 | 第20-21页 |
| 2.2.4 光子晶体型 | 第21-22页 |
| 2.3 等效介质理论和等效参数的提取方法 | 第22-23页 |
| 2.4 左手材料的应用 | 第23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 理论分析 | 第24-36页 |
| 3.1 谐振腔模型 | 第24-25页 |
| 3.2 真空谐振腔理论分析 | 第25-26页 |
| 3.3 介质谐振腔电磁场理论分析 | 第26-33页 |
| 3.4 介质谐振腔谐振频率分析 | 第33页 |
| 3.5 介质谐振腔的品质因数 | 第33-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 谐振腔内的电磁场分布 | 第36-44页 |
| 4.1 圆柱型微波谐振腔的仿真模型 | 第37-38页 |
| 4.2 谐振腔内的电场分布 | 第38-39页 |
| 4.3 谐振腔内的磁场分布 | 第39-41页 |
| 4.4 谐振腔中心部位的电场强度 | 第41-42页 |
| 4.5 谐振腔中心部位的磁场强度 | 第42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第五章 谐振腔的谐振参数 | 第44-52页 |
| 5.1 谐振腔的谐振频率 | 第44-47页 |
| 5.1.1 填充传统介质时谐振腔的谐振频率 | 第45-46页 |
| 5.1.2 填充左手介质时谐振腔的谐振频率 | 第46-47页 |
| 5.2 谐振腔的品质因数 | 第47-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第六章 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
