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(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 文献综述第10-29页
   ·TiO_2压敏陶瓷概述第10-11页
   ·压敏陶瓷电阻器的电学参数第11-13页
     ·压敏电压V1_(mA)第11-12页
     ·非线性系数α第12页
     ·漏电流I_L第12-13页
     ·材料常数(C)第13页
   ·第一性原理castep概述第13-17页
     ·第一性原理介绍第13-14页
     ·CASTEP简介第14-16页
     ·CASTEP赝势计算的应用第16-17页
   ·能带理论第17-25页
     ·单粒子能量本征值E与波向量k第17-18页
     ·周期性位势下的等效Hamiltonian第18-19页
     ·能带结构简介第19-21页
     ·半导体电导原理第21-22页
     ·本征半导体第22-23页
     ·杂质半导体第23-24页
     ·状态密度计算及物理意义第24-25页
   ·TiO_2压敏陶瓷第二相第25-26页
   ·第二相的形成机理第26页
   ·第二相对结构和性能的影响第26-27页
   ·第二相的研究方法第27页
   ·本文研究内容第27-29页
第二章 实验过程第29-33页
   ·配方组成第29页
     ·实验原料第29页
     ·配方组成第29页
   ·实验条件第29-30页
   ·实验过程第30页
   ·结构检测第30-31页
   ·第二相电子结构计算第31-33页
     ·计算参数设置第31-32页
     ·计算结果的分析第32-33页
第三章 结果与讨论第33-67页
   ·物相分析第33-36页
     ·单掺杂La样品1300℃烧结物相分析第33-34页
     ·单掺杂Nb样品1300℃烧结物相分析第34-35页
     ·共掺杂(La、Nb)样品1300℃烧结物相分析第35-36页
   ·显微结构第36-40页
     ·单掺杂样品La 1300℃烧结显微结构分析第36-38页
     ·单掺杂Nb样品1300℃烧结显微结构分析第38-39页
     ·共掺杂(La、Nb)样品1300℃烧结显微结构分析第39-40页
   ·第二相的形成机理第40-43页
   ·第二相电子结构计算第43-47页
   ·第二相对电学性能的影响第47-51页
     ·电阻率第47-49页
     ·介电常数第49-51页
   ·第二相对压敏性能的影响第51-56页
     ·La掺杂的影响第51-52页
     ·Nb掺杂的影响第52-53页
     ·(La、Nb)共掺杂的影响第53-54页
     ·烧结温度对掺杂TiO_2压敏陶瓷非线性系数和压敏电压的影响第54-56页
   ·势垒高度计算第56-67页
     ·第一性原理计算势垒高度第57-61页
     ·掺杂势垒高度的计算第61-67页
第四章 结论第67-68页
参考文献第68-72页
致谢第72-73页
附录A 攻硕士期间发表的论文第73页

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