| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第9-15页 |
| 1.1 Si 纳米线发光特性的研究进展 | 第9-11页 |
| 1.2 Si 纳米线光学特性研究的意义 | 第11-13页 |
| 1.2.1 Si 纳米线在光电器件方面的应用 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Si 纳米线在太阳电池方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 本课题的研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 实验方法与分析表征 | 第15-19页 |
| 2.1 实验方法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 Si 纳米线的制备工艺 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Si 纳米线的生长条件 | 第16-17页 |
| 2.2 Si 纳米线的分析表征方法 | 第17-19页 |
| 2.2.1 α－台阶仪 | 第17页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第17页 |
| 2.2.3 X 射线能量损失谱 | 第17页 |
| 2.2.4 X-射线单晶衍射仪 | 第17-18页 |
| 2.2.5 荧光光谱仪 | 第18-19页 |
| 第3章 Si 纳米线的SLS 生长和PL 特性 | 第19-28页 |
| 3.1 Si 纳米线的SLS 生长和结构表征 | 第19-21页 |
| 3.1.1 Si 纳米线的SLS 生长 | 第19-21页 |
| 3.1.2 Si 纳米线的形貌和成份表征 | 第21页 |
| 3.2 本征Si 纳米线的PL 特性 | 第21-23页 |
| 3.3 氧化处理对Si 纳米线PL 特性的影响 | 第23页 |
| 3.4 硼掺杂对Si 纳米线发光特性的影响 | 第23-26页 |
| 3.4.1 掺杂时间对Si 纳米线发光的影响 | 第24页 |
| 3.4.2 掺杂温度对Si 纳米线发光的影响 | 第24-25页 |
| 3.4.3 掺杂浓度对Si 纳米线发光的影响 | 第25-26页 |
| 3.5 Al 催化SLS 生长Si 纳米线的PL 特性 | 第26-27页 |
| 3.6 Si 纳米线的光反射特性 | 第27-28页 |
| 第4章 不同衬底上生长Si 纳米线的PL 特性 | 第28-35页 |
| 4.1 多晶Si 衬底上生长Si 纳米线的PL 特性 | 第28-29页 |
| 4.2 Si0_2薄膜上生长Si 纳米线的PL 特性 | 第29-31页 |
| 4.3 石英衬底上生长Si 纳米线的PL 特性 | 第31-33页 |
| 4.4 不同衬底上生长Si 纳米线的PL 特性比较 | 第33-35页 |
| 第5章 Si 纳米线的发光机制分析 | 第35-40页 |
| 5.1 Si 纳米线的结构组成 | 第35-36页 |
| 5.2 Si 纳米线的量子限制效应发光 | 第36-37页 |
| 5.3 Si 纳米线的缺陷发光 | 第37-38页 |
| 5.4 Si 纳米线的量子限制效应-界面发光中心复合发光 | 第38-40页 |
| 第6章 结束语 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第47页 |
