| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1. 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) | 第8-12页 |
| 1.1.1 金属有机化合物化学气相沉积的原理 | 第8-9页 |
| 1.1.2 金属有机化合物化学气相沉积系统构成 | 第9-11页 |
| 1.1.3 MOCVD系统的控制特点 | 第11-12页 |
| 1.2. 国内外MOCVD控制系统 | 第12-13页 |
| 1.3. 本文的研究目的 | 第13-14页 |
| 1.4. 本文的组织结构 | 第14-15页 |
| 2. PLC和PID的相关理论、相关技术研究 | 第15-22页 |
| 2.1. 可编程控制器的相关概念 | 第15页 |
| 2.2. 可编程控制器的结构 | 第15-18页 |
| 2.3. 程序设计 | 第18-20页 |
| 2.4. 比例-积分-微分控制器 | 第20-22页 |
| 3. MOCVD控制系统设计 | 第22-38页 |
| 3.1. MOCVD工艺流程 | 第22页 |
| 3.2. MOCVD系统的控制特点 | 第22-23页 |
| 3.3. MOCVD系统控制方案的选型 | 第23-24页 |
| 3.4. MOCVD系统控制的构成 | 第24-27页 |
| 3.5. MOCVD系统控制要点分析 | 第27-32页 |
| 3.6. PLC资源配置和组态设计 | 第32-36页 |
| 3.7. 本章小结 | 第36-38页 |
| 4. MOCVD控制系统下位机程序设计 | 第38-45页 |
| 4.1. S7-1200和STEP7软件的简介 | 第38-39页 |
| 4.2. 主控程序设计 | 第39页 |
| 4.3. 模拟量输入控制 | 第39-40页 |
| 4.4. 模拟量输出控制 | 第40-41页 |
| 4.5. 数字量输出控制 | 第41-42页 |
| 4.6. 报警处理程序 | 第42-43页 |
| 4.7. S7-1200反应室控制程序设计 | 第43-44页 |
| 4.8. 本章小结 | 第44-45页 |
| 5. MOCVD炉内压力平衡系统设计 | 第45-54页 |
| 5.1. 炉内压力平衡系统可使用的方案 | 第45页 |
| 5.2. 阀门开度控制模型 | 第45-49页 |
| 5.3. 工艺对象PID_3STEP | 第49-51页 |
| 5.4. PID_3STEP的调节 | 第51-53页 |
| 5.5. 本章小结 | 第53-54页 |
| 6. 结论与展望 | 第54-55页 |
| 6.1. 本文结论 | 第54页 |
| 6.2. 进一步工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59页 |