摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 课题研究的背景 | 第10-11页 |
1.1.1 集成电路以及运算放大器发展历史 | 第10-11页 |
1.1.2 运算放大器分类以及发展方向 | 第11页 |
1.2 国内外的发展现状和研究意义 | 第11-15页 |
1.2.1 国内发展状况 | 第11-12页 |
1.2.2 国外研究进展 | 第12-13页 |
1.2.3 降低失调及温漂技术 | 第13-15页 |
1.3 课题研究内容 | 第15-16页 |
第2章 运算放大器的失调及温漂分析 | 第16-23页 |
2.1 MOS 器件对运放系统的失调以及噪声的影响 | 第16-21页 |
2.1.1 MOS 器件的电学性质 | 第16-18页 |
2.1.2 MOS 器件的二阶效应 | 第18页 |
2.1.3 MOS 器件的噪声 | 第18-20页 |
2.1.4 MOS 器件的温度漂移性质 | 第20-21页 |
2.2 运算放大器失调和温漂及噪声分析 | 第21-22页 |
2.3 本章小结 | 第22-23页 |
第3章 低失调低温漂运算放大器结构设计 | 第23-28页 |
3.1 运算放大器电路参数要求 | 第23-24页 |
3.2 运算放大器整体结构设计 | 第24-25页 |
3.3 基本运算放大器结构 | 第25-27页 |
3.3.1 单级放大器 | 第25-26页 |
3.3.2 基本电流镜 | 第26-27页 |
3.4 本章小结 | 第27-28页 |
第4章 低失调低温漂运算放大器电路设计 | 第28-44页 |
4.1 运算放大器电路设计 | 第28-37页 |
4.1.1 低噪声输入级设计 | 第28-30页 |
4.1.2 高增益放大级设计 | 第30-33页 |
4.1.3 满摆幅输出级设计 | 第33-34页 |
4.1.4 频率补偿设计 | 第34-37页 |
4.2 带隙基准源设计 | 第37-43页 |
4.2.1 带隙基准源原理 | 第37-38页 |
4.2.2 带隙基准源电路运算放大器设计 | 第38-41页 |
4.2.3 带隙基准电路设计 | 第41-43页 |
4.3 本章小结 | 第43-44页 |
第5章 低失调低温漂运算放大器仿真与结果分析 | 第44-51页 |
5.1 带隙基准电路仿真及结果分析 | 第44-47页 |
5.1.1 带隙基准中运算放大器仿真及结果分析 | 第44-45页 |
5.1.2 带隙基准电路仿真及结果分析 | 第45-47页 |
5.2 低失调低温漂运算放大器电路仿真及结果分析 | 第47-50页 |
5.2.1 低失调低温漂运算放大器增益和相位仿真及分析 | 第47-48页 |
5.2.2 低失调低温漂运算放大器噪声仿真及结果分析 | 第48页 |
5.2.3 低失调低温漂运算放大器的温漂及失调特性仿真及结果分析 | 第48-50页 |
5.3 本章小结 | 第50-51页 |
结论 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
附录 A | 第57页 |