首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--数字电路论文

基于40nm CMOS工艺的12bit 300MS/s采样保持电路研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-14页
    1.1 研究背景和意义第11-12页
    1.2 国内外研究现状和发展趋势第12页
    1.3 本文的主要贡献和创新第12-13页
    1.4 论文的内容和架构第13-14页
第二章 采样保持电路理论第14-25页
    2.1 采样保持电路基础和性能指标第14-15页
    2.2 采样保持电路时域和频域分析第15-17页
    2.3 采样保持电路结构第17-23页
        2.3.1 开环结构第17-20页
            2.3.1.1 基于二极管桥开关的采样保持电路第18页
            2.3.1.2 基于射随器开关的采样保持电路第18-19页
            2.3.1.3 基于AB类缓冲器的采样保持电路第19-20页
        2.3.2 闭环结构第20-23页
            2.3.2.1 电荷转移型采样保持电路第21-22页
            2.3.2.2 电容翻转型采样保持电路第22-23页
    2.4 本章小结采用的采样保持结构第23-24页
    2.5 本章小结第24-25页
第三章 采样保持电路采样相第25-36页
    3.1 误差源第25-28页
        3.1.1 沟道电荷注入第25-26页
            3.1.1.1 提前关断时序第26页
        3.1.2 时钟馈通第26页
        3.1.3 非线性导通电阻第26-27页
        3.1.4 kT/C噪声第27-28页
    3.2 采样开关第28-33页
        3.2.1 NMOS开关第28-29页
        3.2.2 CMOS开关第29-31页
        3.2.3 栅压自举开关第31-33页
    3.3 采用的采样开关结构第33-35页
    3.4 本章小结第35-36页
第四章 采样保持电路保持相第36-55页
    4.1 误差源第36-38页
        4.1.1 运放噪声第36-37页
            4.1.1.1 热噪声第36页
            4.1.1.2 闪烁噪声第36-37页
        4.1.2 高频耦合第37页
        4.1.3 静态误差第37页
        4.1.4 动态误差第37-38页
    4.2 保持相建立过程第38-41页
        4.2.1 压摆区第38-41页
            4.2.1.1 单极点运放假设第39-40页
            4.2.1.2 双极点运放假设第40-41页
    4.3 高速高增益运算放大器第41-50页
        4.3.1 两级运算放大器第41-43页
        4.3.2 套筒运算放大器第43-44页
        4.3.3 折叠共源共栅运算放大器第44-46页
        4.3.4 增益的提高第46-50页
            4.3.4.1 两级套筒运算放大器第46页
            4.3.4.2 增益自举运算放大器第46-50页
    4.4 运放指标推导及采用的结构第50-54页
        4.4.1 运放指标推导第50-51页
        4.4.2 采用的运放结构第51-54页
    4.5 本章小结第54-55页
第五章 采样保持电路设计和仿真第55-66页
    5.1 采样保持电路结构和时序第55页
    5.2 采样开关结构和仿真第55-57页
    5.3 运算放大器的结构和仿真第57-62页
        5.3.1 辅助运放的仿真第57-59页
        5.3.2 主运放的仿真第59-62页
    5.4 采样保持电路系统仿真第62-65页
    5.5 本章小结第65-66页
第六章 结论第66-68页
    6.1 全文总结第66-67页
    6.2 后续工作展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-73页
攻读硕士学位期间取得的成果第73-74页

论文共74页,点击 下载论文
上一篇:低功耗低噪声非制冷红外机芯组件设计研究
下一篇:紧凑型宽带Marx发生器的理论研究