| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 相变存储材料的研究进展 | 第12-20页 |
| 1.2.1 无机相变材料 | 第13-18页 |
| 1.2.2 高分子相变材料 | 第18-20页 |
| 1.3 分子平面夹角在有机半导体中的研究进展 | 第20-24页 |
| 1.4 有机分子晶体在半导体器件中的应用研究 | 第24-29页 |
| 1.4.1 有机晶体的制备方法 | 第24-26页 |
| 1.4.2 有机晶体的制备以及应用 | 第26-29页 |
| 1.5 本论文的目的意义以及研究内容 | 第29-32页 |
| 1.5.1 本论文选题的目的和意义 | 第29页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第29-31页 |
| 1.5.3 本论文的创新点 | 第31-32页 |
| 第二章 侧链共轭聚合物相变及电荷转移双机理调控实现三进制电存储性能研究 | 第32-45页 |
| 2.1 引言 | 第32-33页 |
| 2.2 实验部分 | 第33-37页 |
| 2.2.1 实验原料和试剂 | 第33页 |
| 2.2.2 合成过程 | 第33-36页 |
| 2.2.3 测试仪器 | 第36-37页 |
| 2.2.4 电存储器件制备 | 第37页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第37-44页 |
| 2.3.1 聚合物p Cz NIC6和p NCz NIC6表征 | 第37-38页 |
| 2.3.2 薄膜形貌 | 第38-39页 |
| 2.3.3 光学和电化学性能 | 第39-40页 |
| 2.3.4 电流电压性能 | 第40-42页 |
| 2.3.5 存储机理 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 调控分子内平面夹角对电存储器件性能影响的研究 | 第45-57页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-49页 |
| 3.2.1 实验原料和试剂 | 第46页 |
| 3.2.2 合成步骤 | 第46-48页 |
| 3.2.3 测试仪器 | 第48页 |
| 3.2.4 器件制备 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-56页 |
| 3.3.1 有机小分子ID(BT)2 和ID(BF)2 的热稳定性测试 | 第49-50页 |
| 3.3.2 薄膜形貌 | 第50-51页 |
| 3.3.3 光学和电化学性能 | 第51-52页 |
| 3.3.4 I-V性能测试 | 第52-54页 |
| 3.3.5 存储机理 | 第54-56页 |
| 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 有机分子晶体在电存储器件中的研究 | 第57-70页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 实验部分 | 第57-60页 |
| 4.2.1 实验原料及主要试剂 | 第57-58页 |
| 4.2.2 合成步骤 | 第58-59页 |
| 4.2.3 测试仪器 | 第59-60页 |
| 4.2.4 器件制备 | 第60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-69页 |
| 4.3.1 热失重分子以及差示扫描量热分析 | 第60-61页 |
| 4.3.2 薄膜形态 | 第61-64页 |
| 4.3.3 光学和电化学性能 | 第64-66页 |
| 4.3.4 电流电压（I-V）性能 | 第66-68页 |
| 4.3.5 存储机理 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 5.1 全文总结 | 第70-71页 |
| 5.2 存在的问题与展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-82页 |
| 攻读硕士学位期间整理以及公开发表的论文 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
