| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·常用的邻近效应校正方法 | 第11-13页 |
| ·三维邻近效应校正技术 | 第13-14页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第14页 |
| ·论文的组织结构 | 第14-16页 |
| 第二章 二维邻近效应校正技术 | 第16-35页 |
| ·二维邻近效应校正技术研究背景 | 第16-18页 |
| ·电子束光刻技术 | 第16页 |
| ·邻近效应的产生机理 | 第16-18页 |
| ·邻近效应对电子束光刻的影响 | 第18页 |
| ·二维邻近效应校正技术理论 | 第18-23页 |
| ·能量沉积模型 | 第19-20页 |
| ·电子束在抗蚀剂中的有效曝光剂量计算 | 第20-22页 |
| ·离散化数字信号处理模型 | 第22-23页 |
| ·二维邻近效应校正技术实现 | 第23-32页 |
| ·累积分布函数在有效曝光剂量计算中的应用 | 第24-26页 |
| ·图形内部校正 | 第26-29页 |
| ·图形间相邻校正 | 第29-30页 |
| ·全局范围的邻近效应校正 | 第30-32页 |
| ·二维电子束邻近效应校正实验结果 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第三章 三维电子束光刻仿真研究 | 第35-50页 |
| ·三维电子束光刻技术研究的应用背景 | 第35-37页 |
| ·三维微细加工技术 | 第35-36页 |
| ·三维电子束光刻技术研究的意义 | 第36-37页 |
| ·三维能量沉积分布模型 | 第37-46页 |
| ·厚层抗蚀剂深度方向上能量沉积密度的变化规律 | 第37-39页 |
| ·分层的三维能量沉积分布模型 | 第39-41页 |
| ·重复增量扫描策略 | 第41-42页 |
| ·三维能量沉积分布模型下的邻近效应校正 | 第42-46页 |
| ·三维电子束光刻相关实验结果 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第四章 并行计算在电子束光刻邻近效应校正中的应用研究 | 第50-61页 |
| ·并行计算在邻近效应校正技术研究意义 | 第50-51页 |
| ·并行计算介绍 | 第51-53页 |
| ·集群技术简介 | 第51-52页 |
| ·网格技术简介 | 第52-53页 |
| ·并行程序设计的工具 | 第53-55页 |
| ·MPI 编程 | 第54页 |
| ·PVM 编程 | 第54页 |
| ·HPF 编程 | 第54-55页 |
| ·Open MP 编程 | 第55页 |
| ·电子束光刻邻近效应校正并行算法设计 | 第55-60页 |
| ·分而治之策略 | 第55-57页 |
| ·电子束光刻邻近效应校正时间消耗分析 | 第57页 |
| ·电子束光刻邻近效应校正并行算法设计 | 第57-59页 |
| ·电子束光刻邻近效应校正并行计算实验结果 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |