| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 过渡金属化合物体材料的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 过渡金属化合物二维材料的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 选题依据以及研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 基础理论和计算软件 | 第16-28页 |
| 2.1 计算理论基础 | 第16-19页 |
| 2.1.1 薛定谔方程 | 第16-17页 |
| 2.1.2 波恩-奥本海默（Born-Oppenheimer）绝热近似 | 第17页 |
| 2.1.3 Hartree-Fock的单电子近似 | 第17-19页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第19-23页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第19-21页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第21页 |
| 2.2.3 LDA和GGA两种交换关联近似 | 第21-23页 |
| 2.3 能带理论基础 | 第23-25页 |
| 2.3.1 Bloch定理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 计算能带近似方法 | 第24-25页 |
| 2.4 第一性原理简介及VASP软件包介绍 | 第25-28页 |
| 2.4.1 第一性原理介绍 | 第25页 |
| 2.4.2 VASP软件包简介 | 第25-28页 |
| 第3章 HfN到Hf_3N_4的结构和电子性质的转变 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 计算方法介绍 | 第29页 |
| 3.3 HfN到Hf_3N_4的结构相转变和电子性质的变化 | 第29-40页 |
| 3.3.1 HfN到Hf_3N_4的结构相转变 | 第29-34页 |
| 3.3.2 HfN到Hf_3N_4电子性质的变化 | 第34-40页 |
| 3.4 结论 | 第40-42页 |
| 第4章 单层Mo(W)Te_2的相转变和势垒的调制 | 第42-62页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 计算方法介绍 | 第43-44页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第44-59页 |
| 4.3.1 相转变路径和势垒 | 第44-49页 |
| 4.3.2 双轴应变条件下的相转变 | 第49-51页 |
| 4.3.3 单轴应变条件下的相转变 | 第51-55页 |
| 4.3.4 不同相结构的电子性质 | 第55-59页 |
| 4.4 结论 | 第59-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-76页 |
| 作者简介及硕士期间的科研成果 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
