摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 光电化学分解水 | 第10-14页 |
1.2.1 光电化学分解水的基本原理 | 第10-11页 |
1.2.2 半导体材料光电极材料及其改性 | 第11-14页 |
1.2.2.1 掺杂 | 第11-12页 |
1.2.2.2 复合 | 第12-13页 |
1.2.2.3 控制结构和形貌 | 第13-14页 |
1.3 SnO_2简介 | 第14-18页 |
1.3.1 SnO_2的基本性质与光催化应用 | 第14-15页 |
1.3.2 SnO_2的光催化性能 | 第15-17页 |
1.3.3 FTO的光催化性能 | 第17-18页 |
1.4 本文的主要工作 | 第18-19页 |
第二章 实验部分 | 第19-28页 |
2.1 试剂 | 第19页 |
2.2 实验仪器 | 第19-20页 |
2.3 样品的制备 | 第20页 |
2.4 薄膜的光电性能测试 | 第20-21页 |
2.5 薄膜的结构、形貌、光学性质及成分分析 | 第21-28页 |
2.5.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第21-22页 |
2.5.2 X射线粉末衍射(XRD) | 第22-23页 |
2.5.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第23-25页 |
2.5.4 激光拉曼散射光谱(Rman) | 第25-26页 |
2.5.5 紫外-可见光吸收谱(UV-Vis) | 第26页 |
2.5.6 荧光光谱(PL) | 第26-28页 |
第三章 薄膜的光电化学性能、形貌和结构 | 第28-38页 |
3.1 引言 | 第28页 |
3.2 结果与讨论 | 第28-36页 |
3.2.1 电化学阴极极化参数对铁掺杂FTO薄膜光电流的影响 | 第28-30页 |
3.2.1.1 电流密度对铁掺杂FTO薄膜光电流的影响 | 第29页 |
3.2.1.2 阴极极化时间对铁掺杂FTO薄膜光电流的影响 | 第29-30页 |
3.2.2 浸锌条件对锌修饰、铁掺杂FTO薄膜光电流的影响 | 第30页 |
3.2.3 薄膜光电流的比较 | 第30-32页 |
3.2.4 薄膜的形貌和结构 | 第32-36页 |
3.2.4.1 薄膜的形貌(SEM) | 第32-34页 |
3.2.4.2 X射线粉末衍射(XRD) | 第34-36页 |
3.3 本章小结 | 第36-38页 |
第四章 薄膜的XPS分析 | 第38-46页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 结果与讨论 | 第38-45页 |
4.2.1 薄膜XPS元素全谱 | 第38-39页 |
4.2.2 薄膜XPS元素的精细谱 | 第39-43页 |
4.2.3 薄膜XPS价带谱 | 第43页 |
4.2.4 薄膜的元素深度分布 | 第43-45页 |
4.3 本章小结 | 第45-46页 |
第五章 薄膜的光学和电化学研究 | 第46-53页 |
5.1 引言 | 第46页 |
5.2 结果与讨论 | 第46-52页 |
5.2.1 激光拉曼光谱(Raman) | 第46-47页 |
5.2.2 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第47-48页 |
5.2.3 荧光光谱(PL) | 第48页 |
5.2.4 线性电势扫描伏安(CV)曲线 | 第48-50页 |
5.2.5 Mott-Schottky曲线 | 第50-52页 |
5.3 本章小结 | 第52-53页 |
第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
6.1 总结 | 第53页 |
6.2 展望 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-66页 |
攻读学位期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
致谢 | 第67-69页 |