| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 黑硅材料的简介 | 第10-11页 |
| 1.2 飞秒激光制备黑硅材料的国内外研究现状 | 第11-18页 |
| 1.3 黑硅材料的几种制备方法比较 | 第18-21页 |
| 1.3.1 湿法腐蚀技术 | 第19页 |
| 1.3.2 反应离子刻蚀 | 第19-20页 |
| 1.3.3 飞秒激光照射法 | 第20-21页 |
| 1.4 黑硅材料的应用 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验原理、工艺和测试 | 第24-33页 |
| 2.1 实验原理 | 第24-28页 |
| 2.1.1 飞秒激光与硅的相互作用 | 第24-26页 |
| 2.1.2 背景气体SF6飞秒激光制备黑硅原理 | 第26-28页 |
| 2.2 实验材料 | 第28-30页 |
| 2.3 样品制备工艺 | 第30-31页 |
| 2.4 样品测试方案 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 飞秒激光刻蚀黑硅材料制备及光学性能研究 | 第33-52页 |
| 3.1 实验准备及加工步骤 | 第33-38页 |
| 3.1.1 飞秒激光实验设备简介 | 第33-35页 |
| 3.1.2 实验材料的准备流程 | 第35-36页 |
| 3.1.2.1 硅片清洗 | 第35页 |
| 3.1.2.2 硒元素掺杂纳米级薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.1.3 飞秒激光刻蚀黑硅材料的加工实验过程 | 第36-38页 |
| 3.2 黑硅形貌随实验参数的变化 | 第38-42页 |
| 3.2.1 背景气体对飞秒激光刻蚀黑硅的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.2 飞秒激光脉冲数目对刻蚀黑硅的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.3 飞秒激光能量密度对刻蚀黑硅的影响 | 第40-42页 |
| 3.3 黑硅光学特性随实验参数的变化 | 第42-46页 |
| 3.3.1 硫掺杂宽光谱黑硅的光学特性 | 第42-43页 |
| 3.3.2 飞秒激光刻蚀不同类型膜层样品的光学特性 | 第43-44页 |
| 3.3.3 飞秒激光不同扫描速度刻蚀双层膜样品的光学特性 | 第44-45页 |
| 3.3.4 不同激光能量密度刻蚀双层膜样品的光学特性 | 第45-46页 |
| 3.4 高吸收率宽光谱黑硅的制备及EDS分析 | 第46-49页 |
| 3.5 黑硅高吸收机理的探讨 | 第49-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 飞秒激光刻蚀宽光谱吸收黑硅的电学性能研究 | 第52-65页 |
| 4.1 飞秒激光刻蚀黑硅的金-半接触特性 | 第52-56页 |
| 4.1.1 四角电极制备 | 第52-53页 |
| 4.1.2 金-半接触的理论分析 | 第53-54页 |
| 4.1.3 实验结果分析与讨论 | 第54-56页 |
| 4.2 飞秒激光制备黑硅的霍尔效应测试 | 第56-58页 |
| 4.2.1 霍尔效应以及霍尔效应测试原理 | 第56-57页 |
| 4.2.2 实验结果分析与讨论 | 第57-58页 |
| 4.3 基于飞秒激光制备黑硅材料N+/N光电探测器的研究 | 第58-64页 |
| 4.3.1 N~+/N光电探测器原理 | 第58-60页 |
| 4.3.2 N~+/N电极制备 | 第60-61页 |
| 4.3.3 飞秒激光制备黑硅的N~+/N电极测试 | 第61-64页 |
| 4.3.3.1 退火对电极的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.3.2 不同光功率对光电流的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 基于第一性原理的硫族元素掺杂硅材料仿真研究 | 第65-73页 |
| 5.1 第一性原理的简介 | 第65-66页 |
| 5.2 硫掺杂硅材料的仿真研究 | 第66-70页 |
| 5.3 硒掺杂硅材料的仿真研究 | 第70-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-76页 |
| 6.1 总结 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80-81页 |
