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氧化锌薄膜晶体管制备工艺及性能解析

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-13页
    1.1 课题研究背景及意义第10-11页
    1.2 薄膜晶体管的研究现状第11页
    1.3 存在的主要问题第11-12页
    1.4 本课题的主要工作第12-13页
第2章 氧化锌薄膜的制备与表征第13-27页
    2.1 氧化锌的晶体结构第13-14页
    2.2 氧化锌薄膜的特性第14-16页
        2.2.1 氧化锌薄膜的光电特性第15页
        2.2.2 氧化锌薄膜的压电特性第15页
        2.2.3 氧化锌薄膜的气敏特性第15-16页
    2.3 氧化锌薄膜的制备方法第16-18页
        2.3.1 分子束外延第16页
        2.3.2 溶胶-凝胶法第16-17页
        2.3.3 射频磁控溅射第17-18页
    2.4 氧化锌薄膜的制备过程第18-21页
        2.4.1 衬底玻璃的清洗第18-19页
        2.4.2 ZnO薄膜的制备工艺第19-21页
    2.5 氧化锌薄膜的表征第21-26页
        2.5.1 原子力显微镜分析表面形貌第21-25页
        2.5.2 台阶仪测膜厚第25-26页
    2.6 本章小结第26-27页
第3章 薄膜晶体管整流特性第27-33页
    3.1 金属-半导体接触的整流特性第27-30页
    3.2 金属-半导体接触的非整流特性第30-32页
    3.3 本章小结第32-33页
第4章 垂直构型氧化锌薄膜器件工艺参数与性能第33-49页
    4.1 器件的测试方法第33-34页
    4.2 氧化锌肖特基二极管的制备及分析第34-37页
    4.3 氧化锌薄膜晶体管性能测试及分析第37-38页
    4.4 工艺参数对晶体管性能的影响第38-47页
        4.4.1 衬底温度对晶体管性能影响第38-41页
        4.4.2 溅射时间对晶体管性能影响第41-42页
        4.4.3 晶体管跨导计算第42-43页
        4.4.4 晶体管输出电阻第43页
        4.4.5 晶体管电压放大倍数第43-44页
        4.4.6 阈值电压第44-45页
        4.4.7 隧穿电流-电压分析第45-47页
    4.5 本章小结第47-49页
结论第49-51页
参考文献第51-55页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第55-56页
致谢第56页

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