| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳能电池简介 | 第11-13页 |
| 1.3 CIGS薄膜研究现状 | 第13-24页 |
| 1.3.1 CIGS的结构 | 第13-15页 |
| 1.3.2 CIGS薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.3 电沉积法制备CIGS薄膜的研究现状 | 第17-24页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第25-30页 |
| 2.1 实验药品和仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第25页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.3 实验装置 | 第26页 |
| 2.1.4 离子液体的制备 | 第26页 |
| 2.2 电沉积与电化学测试方法 | 第26-27页 |
| 2.2.1 恒电势沉积 | 第26-27页 |
| 2.2.2 循环伏安测试（CV） | 第27页 |
| 2.3 表征方法 | 第27-30页 |
| 2.3.1 感应耦合等离子体（ICP） | 第27-28页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第28-29页 |
| 2.3.3 X射线衍射分析（XRD） | 第29-30页 |
| 第3章 一步电沉积法制备CIGS薄膜的工艺研究 | 第30-41页 |
| 3.1 CIGS薄膜制备工艺研究 | 第30-37页 |
| 3.1.1 金属In的电沉积 | 第30-31页 |
| 3.1.2 金属Ga的电沉积 | 第31-32页 |
| 3.1.3 Cu-In的电沉积 | 第32-33页 |
| 3.1.4 Cu-In-Ga的电沉积 | 第33-34页 |
| 3.1.5 Cu-In-Se的电沉积 | 第34页 |
| 3.1.6 Cu-In-Ga-Se的电沉积 | 第34-37页 |
| 3.2 提高镀层中Se含量的措施 | 第37-39页 |
| 3.2.1 电沉积方式的改变 | 第37-38页 |
| 3.2.2 其它措施 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 CIGS薄膜组成优化的工艺研究 | 第41-52页 |
| 4.1 连续沉积对镀层组成的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.1 重现性实验 | 第41-42页 |
| 4.1.2 沉积次数对镀层组成的影响 | 第42-43页 |
| 4.2 沉积工艺对镀层组成的影响 | 第43-46页 |
| 4.2.1 镀液温度对镀层组成的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.2 沉积电势对镀层组成的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 镀液组成对镀层组成的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.1 InCl_3浓度对镀层组成的影响 | 第46页 |
| 4.3.2 CuCl_2浓度对镀层组成的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.3 GaCl_3浓度对镀层组成的影响 | 第47页 |
| 4.3.4 SeCl_4浓度对镀层组成的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 退火对镀层的影响 | 第48-50页 |
| 4.4.1 退火对镀层表面形貌的影响 | 第48页 |
| 4.4.2 退火对镀层组成的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.3 退火对镀层物相的影响 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 CIGS薄膜电沉积行为的研究 | 第52-63页 |
| 5.1 离子液体的电化学窗口 | 第52-53页 |
| 5.2 一元CuCl_2、InCl_3、GaCl_3、SeCl_4体系循环伏安行为 | 第53-54页 |
| 5.3 二元Cu-Se、In-Se、Ga-Se体系循环伏安行为 | 第54-59页 |
| 5.4 三元Cu-In-Se体系循环伏安行为 | 第59-61页 |
| 5.5 四元Cu-In-Ga-Se体系循环伏安行为 | 第61-62页 |
| 5.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
