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Ⅲ族氮化物极化掺杂场效应晶体管基础研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
1 引言第15-17页
2 文献综述第17-33页
    2.1 GaN材料及突变异质结器件的发展历史与现状第17-23页
        2.1.1 Ⅲ族氮化物的极化效应第18-21页
        2.1.2 GaN突变异质结电子器件第21-23页
    2.2 GaN基缓变异质结器件的发展历史与现状第23-33页
        2.2.1 GaN基缓变异质结基本概念第23-26页
        2.2.2 GaN基缓变异质结材料和器件的研究进展第26-31页
        2.2.3 GaN基缓变异质结材料及器件目前面临的问题第31-33页
3 研究内容与实验方法第33-41页
    3.1 课题的研究内容第33-34页
    3.2 用于氮化物异质外延的MOCVD技术第34-35页
        3.2.1 MOCVD基本原理第34-35页
        3.2.2 MOCVD系统简介第35页
    3.3 氮化物外延材料性能表征方法第35-37页
        3.3.1 二次离子质谱(SIMS)技术第36页
        3.3.2 X射线衍射(XRD)技术第36页
        3.3.3 原子力显微镜(AFM)技术第36-37页
        3.3.4 汞探针电容-电压(C-V)测试技术第37页
    3.4 GaN器件的性能表征方法第37-41页
        3.4.1 直流特性第37-38页
        3.4.2 小信号特性第38-39页
        3.4.3 大信号特性第39-41页
4 GaN外延材料生长研究第41-55页
    4.1 用于GaN外延的衬底选择第41-42页
    4.2 SiC衬底预处理对GaN外延材料的影响第42-44页
    4.3 缓冲层工艺条件对SiC衬底上GaN外延材料的影响第44-48页
        4.3.1 缓冲层的选择第44页
        4.3.2 AlN缓冲层的生长工艺优化第44-45页
        4.3.3 AlN缓冲层的应变状态对GaN外延层应变状态的影响第45-48页
    4.4 外延层工艺条件对GaN外延材料的影响第48-52页
        4.4.1 生长温度对GaN外延材料的影响第48-51页
        4.4.2 生长压力对GaN外延材料的影响第51-52页
    4.5 本章小结第52-55页
5 AlGaN/GaN缓变结材料研究第55-69页
    5.1 AlGaN/GaN缓变结材料制备与基本性质第55-62页
        5.1.1 AlGaN/GaN缓变结材料制备和晶体学分析第55-58页
        5.1.2 AlGaN/GaN缓变异质结材料载流子分布研究第58-62页
    5.2 AlGaN/GaN缓变结材料陷阱行为研究第62-67页
    5.3 本章小结第67-69页
6 AlGaN/GaN PolFET器件直流和射频特性研究第69-91页
    6.1 基于AlGaN/GaN缓变结的器件制备工艺第69-75页
    6.2 AlGaN/GaN PolFET器件制备与直流特性研究第75-78页
    6.3 AlGaN/GaN PolFET器件射频小信号和大信号研究第78-80页
    6.4 AlGaN/GaN PolFET器件的电流崩塌分析第80-83页
    6.5 AlGaN/GaN PolFET器件的仿真研究第83-89页
        6.5.1 器件结构与模拟方法第84-85页
        6.5.2 仿真结果与讨论第85-89页
    6.6 本章小结第89-91页
7 AlGaN/GaN PolFET直流高温特性分析第91-99页
    7.1 AlGaN/GaN PolFET直流高温特性第91-94页
    7.2 AlGaN/GaN缓变异质结载流子输运特性的空间差异第94-96页
    7.3 AlGaN/GaN PolFET的准多沟道模型第96-97页
    7.4 本章小结第97-99页
8 结论第99-101页
9 展望第101-103页
10 创新点第103-105页
参考文献第105-115页
作者简历及在学研究成果第115-119页
学位论文数据集第119页

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