特快速暂态过电压特性分析及其数值仿真研究
| 摘要 | 第7-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 概述 | 第10页 |
| 1.2 国内外特快速暂态过电压的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 特快速暂态过电压的研究意义 | 第12-13页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 GIS中的特快速暂态过电压 | 第15-26页 |
| 2.1 特快速暂态过电压的产生机理 | 第15-16页 |
| 2.2 特快速暂态过电压的特性 | 第16-18页 |
| 2.2.1 特快速暂态过电压的幅值特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 特快速暂态过电压的陡度特性 | 第17-18页 |
| 2.2.3 特快速暂态过电压的频率特性 | 第18页 |
| 2.3 特快速暂态过电压的影响因素 | 第18-21页 |
| 2.3.1 残余电荷 | 第18-19页 |
| 2.3.2 变压器的入口电容 | 第19页 |
| 2.3.3 GIS的支路长度 | 第19-20页 |
| 2.3.4 电压的上升时间 | 第20页 |
| 2.3.5 隔离开关弧道电阻 | 第20-21页 |
| 2.3.6 其他因素的影响 | 第21页 |
| 2.4 特快速暂态过电压的抑制措施 | 第21-25页 |
| 2.4.1 快速动作隔离开关 | 第21页 |
| 2.4.2 加装合闸电阻 | 第21-22页 |
| 2.4.3 安装金属氧化物避雷器 | 第22-23页 |
| 2.4.4 铁氧体磁环 | 第23页 |
| 2.4.5 加装R-C滤波器 | 第23-24页 |
| 2.4.6 耦合电容器 | 第24页 |
| 2.4.7 其他防护措施 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 特高压GIS中VFTO的EMTP仿真研究 | 第26-35页 |
| 3.1 电磁暂态计算常用的系统模型 | 第26-28页 |
| 3.1.1 架空线路和电缆 | 第26-27页 |
| 3.1.2 变压器 | 第27页 |
| 3.1.3 断路器和隔离开关 | 第27-28页 |
| 3.2 ATP-EMTP电磁暂态计算程序简介 | 第28-30页 |
| 3.2.1 EMTP简介 | 第28-29页 |
| 3.2.2 ATPDraw简介 | 第29-30页 |
| 3.3 1000kV特高压变电站仿真建模及分析 | 第30-34页 |
| 3.3.1 ATPDraw程序中的仿真模型 | 第30-32页 |
| 3.3.2 GIS变电站主要设备上的仿真波形 | 第32-33页 |
| 3.3.3 GIS主要设备上VFTO的幅值分析 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 特高压GIS中VFTO的影响因素仿真研究 | 第35-48页 |
| 4.1 残余电荷对VFTO的影响仿真分析 | 第35-38页 |
| 4.1.1 有残余电荷时的仿真波形 | 第35-37页 |
| 4.1.2 残余电荷下的VFTO最大值分析 | 第37-38页 |
| 4.2 入口电容对VFTO的影响仿真分析 | 第38-40页 |
| 4.2.1 入口电容增加5000pF时的仿真波形 | 第38-39页 |
| 4.2.2 当入口电容增加时VFTO的幅值分析 | 第39-40页 |
| 4.3 GIS支路长度对VFTO的影响仿真分析 | 第40-43页 |
| 4.3.1 不同支路长度增加对VFTO幅值的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 长度增加60m时的仿真波形 | 第41-42页 |
| 4.3.3 增加支路长度时VFTO的幅值分析 | 第42-43页 |
| 4.4 开关弧道电阻对VFTO的影响 | 第43-46页 |
| 4.4.1 时变电阻模型的仿真波形 | 第44-46页 |
| 4.4.2 不同隔离开关模型VFTO的幅值分析 | 第46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 特高压GIS中VFTO的抑制措施仿真研究 | 第48-69页 |
| 5.1 加装合闸电阻 | 第48-53页 |
| 5.1.1 不同时间投入合闸电阻时VFTO的幅值 | 第48-49页 |
| 5.1.2 投入合闸电阻后的仿真波形 | 第49-52页 |
| 5.1.3 投入合闸电阻后VFTO的幅值分析 | 第52-53页 |
| 5.2 安装金属氧化物避雷器 | 第53-56页 |
| 5.2.1 安装避雷器后VFTO的仿真波形 | 第54-55页 |
| 5.2.2 安装避雷器后VFTO的幅值分析 | 第55-56页 |
| 5.3 加装铁氧体磁环 | 第56-59页 |
| 5.3.1 加装铁氧体磁环后VFTO的仿真波形 | 第56-58页 |
| 5.3.2 加装铁氧体磁环后VFTO的幅值分析 | 第58-59页 |
| 5.4 加装R-C滤波器 | 第59-61页 |
| 5.4.1 加装R-C滤波器后的仿真波形 | 第59-61页 |
| 5.4.2 加装R-C滤波器后VFTO的幅值分析 | 第61页 |
| 5.5 加装阻波器 | 第61-65页 |
| 5.5.1 加装阻波器后的仿真波形 | 第62-63页 |
| 5.5.2 加装阻波器后VFTO的幅值分析 | 第63-64页 |
| 5.5.3 加装阻波器后阻波器上的仿真波形 | 第64-65页 |
| 5.6 简化接线 | 第65-66页 |
| 5.6.1 简化接线后的仿真波形 | 第65-66页 |
| 5.6.2 简化接线后VFTO的幅值分析 | 第66页 |
| 5.7 VFTO的主要防护措施分析 | 第66-68页 |
| 5.8 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附件 | 第75页 |
