| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 磁电阻效应简介 | 第10-11页 |
| 1.2 钙钛矿型锰氧化物的研究进展与现状 | 第11-19页 |
| 1.2.1 镧锰氧化物中CMR 效应的产生 | 第11-12页 |
| 1.2.2 镧锰氧化物的晶体结构及电磁特性 | 第12-19页 |
| 1.3 自旋极化的电子隧道效应 | 第19-21页 |
| 1.4 本文研究目的和意义 | 第21-22页 |
| 第2章 相关薄膜样品的制备及表征方法和原理 | 第22-28页 |
| 2.1 磁控溅射制备方法 | 第22-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理 | 第22-24页 |
| 2.1.2 本文所用磁控溅射设备介绍 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜的结构表征和物理性能测量 | 第25-27页 |
| 2.2.1 薄膜的厚度测量 | 第25页 |
| 2.2.2 薄膜的结构及形貌分析 | 第25-26页 |
| 2.2.3 样品的成分分析 | 第26-27页 |
| 2.2.4 样品的磁电学性能分析 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 单层La_(0.7)51_(0.3)MnO_3薄膜的结构及磁电学性能研究 | 第28-45页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 样品的制备 | 第29-31页 |
| 3.2.1 靶材的制备 | 第29-31页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第31页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第31-44页 |
| 3.3.1 不同生长方向的LSMO 薄膜结构及性能研究 | 第31-36页 |
| 3.3.2 异位退火对LSMO 薄膜结构及磁学性能的影响 | 第36-42页 |
| 3.3.3 原位退火对LSMO 薄膜磁学性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 全钙钛矿结构磁性隧道结的输运性能研究 | 第45-62页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 样品的制备 | 第45-48页 |
| 4.2.1 磁性隧道结的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.2 磁性隧道结的光刻 | 第46页 |
| 4.2.3 磁性隧道结的测试 | 第46-48页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第48-61页 |
| 4.3.1 中间绝缘层厚度对磁性隧道结性能的影响 | 第48-51页 |
| 4.3.2 不同退火方式对磁性隧道结性能的影响 | 第51-56页 |
| 4.3.3 反铁磁钉扎层对磁性隧道结性能的改善 | 第56-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
