| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 热电材料简介 | 第9-12页 |
| 1.1.1 热电效应 | 第9-11页 |
| 1.1.2 热电材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.1.3 热电材料的应用 | 第12页 |
| 1.2 Bi_2Se_3热电材料 | 第12-14页 |
| 1.2.1 Bi_2Se_3的结构及其优点 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Bi_2Se_3的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 热电材料性能应力应变调控的实现 | 第14-16页 |
| 1.3.1 外应力对热电性能的调控 | 第14-15页 |
| 1.3.2 应变对热电性能的调控 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的选题依据及主要内容 | 第16-18页 |
| 1.4.1 本论文的选题依据 | 第16-17页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第17-18页 |
| 第2章 密度泛函和半经典的玻尔兹曼理论及计算方法 | 第18-26页 |
| 2.1 密度泛函理论简介 | 第18-19页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.2 交换关联能泛函的近似 | 第19-20页 |
| 2.2.1 局域密度近似 | 第19-20页 |
| 2.2.2 广义梯度近似 | 第20页 |
| 2.3 半经典的玻尔兹曼理论简介 | 第20-24页 |
| 2.4 计算方法与软件简介 | 第24-25页 |
| 2.4.1 计算方法 | 第24页 |
| 2.4.2 VASP软件简介 | 第24页 |
| 2.4.3 Boltz Trap软件简介 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 应力对Bi_2Se_3电子结构和热电性能的影响 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 晶体结构参数优化 | 第26-27页 |
| 3.3 应力对Bi_2Se_3能带结构的影响 | 第27-30页 |
| 3.4 应力对Bi_2Se_3态密度的影响 | 第30-32页 |
| 3.5 应力对Bi_2Se_3热电性能的影响 | 第32-36页 |
| 3.5.1 不同应力下p型Bi_2Se_3的热电性能随载流子浓度的变化 | 第32-34页 |
| 3.5.2 不同应力下n型Bi_2Se_3的热电性能随载流子浓度的变化 | 第34-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 应变对Bi_2Se_3电子结构和热电性能的影响 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 晶体结构参数优化 | 第37-38页 |
| 4.3 应变对Bi_2Se_3能带结构的影响 | 第38-40页 |
| 4.4 应变对Bi_2Se_3态密度的影响 | 第40-42页 |
| 4.5 应变对Bi_2Se_3热电性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.5.1 不同应变状态下p型Bi_2Se_3热电性能随载流子浓度的变化 | 第42-44页 |
| 4.5.2 不同应变状态下n型Bi_2Se_3热电性能随载流子浓度的变化 | 第44-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 论文总结 | 第47-48页 |
| 5.2 工作展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第56页 |
