摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
第一章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 本文的研究背景 | 第8-9页 |
1.2 三电平电路结构 | 第9-11页 |
1.2.1 NPC三电平电路 | 第9-10页 |
1.2.2 T字型三电平电路 | 第10-11页 |
1.3 IGBT的发展与应用 | 第11-12页 |
1.4 T字型三电平IGBT模块的研究现状概要 | 第12-13页 |
1.5 本文的研究意义 | 第13-14页 |
1.6 本文的创新点 | 第14页 |
1.7 本文的内容架构 | 第14-16页 |
第二章 IGBT的结构与工作特性 | 第16-25页 |
2.1 IGBT的基本结构和工作原理 | 第16-17页 |
2.2 IGBT的静态特性 | 第17-18页 |
2.2.1 IGBT的转移特性 | 第17页 |
2.2.2 IGBT的输出特性 | 第17-18页 |
2.2.3 IGBT的开关特性 | 第18页 |
2.3 IGBT的动态特性 | 第18-20页 |
2.3.1 IGBT的开通过程 | 第18-19页 |
2.3.2 IGBT的关断过程 | 第19-20页 |
2.4 IGBT的温度特性 | 第20-22页 |
2.4.1 通态压降 | 第20页 |
2.4.2 擎住电流 | 第20-21页 |
2.4.3 开关速度 | 第21页 |
2.4.4 阈值电压 | 第21-22页 |
2.5 IGBT的驱动保护电路 | 第22-25页 |
2.5.1 IGBT的栅极电阻 | 第22页 |
2.5.2 IGBT的驱动电压 | 第22-23页 |
2.5.3 IGBT的短路过流保护 | 第23-25页 |
第三章 T字型三电平IGBT模块的瞬态行为研究 | 第25-40页 |
3.1 引言 | 第25-26页 |
3.2 T字型三电平IGBT模块的瞬态行为 | 第26-30页 |
3.2.1 T字型三电平逆变电路工作状态 | 第26-27页 |
3.2.2 T字型三电平逆变电路中IGBT的瞬态行为 | 第27-30页 |
3.3 IGBT的瞬态行为对系统的影响的理论分析 | 第30-32页 |
3.3.1 T字型三电平逆变电路中V_(ce)退饱和电路的误触发故障 | 第30-31页 |
3.3.2 负载电流与V_(ce)退饱和检测电路误触发故障的关系 | 第31-32页 |
3.4 实验验证 | 第32-39页 |
3.4.1 硬件结构与参数 | 第32-33页 |
3.4.2 驱动介绍 | 第33-36页 |
3.4.3 实验验证 | 第36-38页 |
3.4.4 实验结论措施 | 第38-39页 |
3.5 本章小结 | 第39-40页 |
第四章 T字三电平逆变电路中IGBT模块并联应用下的瞬态行为研究 | 第40-58页 |
4.1 引言 | 第40-41页 |
4.2 IGBT并联动态均流特性 | 第41-42页 |
4.2.1 转移特性对动态均流的影响 | 第41页 |
4.2.2 驱动电路对动态均流的影响 | 第41-42页 |
4.2.3 回路寄生电感对动态均流的影响 | 第42页 |
4.2.4 传统改善并联均流的措施 | 第42页 |
4.3 实现T字型三电平并联瞬态行为一致的难度 | 第42-43页 |
4.4 实验平台 | 第43-45页 |
4.4.1 实验平台设计 | 第43-44页 |
4.4.2 实验条件设置 | 第44-45页 |
4.4.3 瞬态并联行为评价指标 | 第45页 |
4.5 并联T字型三电平IGBT模块的瞬态行为 | 第45-49页 |
4.5.1 并联T字型三电平IGBT模块的瞬态开通波形 | 第46-48页 |
4.5.2 并联T字型三电平IGBT模块的瞬态关断波形 | 第48-49页 |
4.6 并联T字型三电平IGBT模块的瞬态行为与系统中二极管及结温的关系 | 第49-56页 |
4.6.1 同结温下并联T字型三电平IGBT的瞬态行为 | 第49-50页 |
4.6.2 并联T字型三电平IGBT的开通行为与二极管反向恢复的关系 | 第50-52页 |
4.6.3 并联T字型三电平IGBT的关断行为与二极管反向恢复的关系 | 第52-56页 |
4.6.4 T字型三电平IGBT模块的并联优势 | 第56页 |
4.7 本章小结 | 第56-58页 |
第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |