| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 相控阵雷达T/R组件简介 | 第8-10页 |
| 1.2 移相器研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.3 论文的内容安排 | 第11-13页 |
| 第二章 半导体开关控制器件 | 第13-25页 |
| 2.1 PIN二极管 | 第13-17页 |
| 2.1.1 PIN二极管的工作原理 | 第13-14页 |
| 2.1.2 PIN二极管的开关模型 | 第14-15页 |
| 2.1.3 PIN二极管的主要参数 | 第15-17页 |
| 2.2 肖特基二极管 | 第17-18页 |
| 2.3 MOS场效应管 | 第18-23页 |
| 2.3.1 MOSFET的机构 | 第19页 |
| 2.3.2 MOSFET的基本工作原理 | 第19-22页 |
| 2.3.3 MOSFET的偏置电路 | 第22页 |
| 2.3.4 MOS管的开关原理 | 第22-23页 |
| 2.4 MEMS开关 | 第23-25页 |
| 第三章 移相器的基本原理 | 第25-34页 |
| 3.1 移相器的基本原理 | 第25-26页 |
| 3.2 移相器主要指标 | 第26-28页 |
| 3.3 移相器的结构和分析 | 第28-34页 |
| 3.3.1 开关线型移相器 | 第28-29页 |
| 3.3.2 加载线型移相器 | 第29-31页 |
| 3.3.3 高低通型滤波器型移相器 | 第31-34页 |
| 第四章 数字移相器基本单元的设计 | 第34-54页 |
| 4.1 移相器设计前的准备工作 | 第34-36页 |
| 4.2 MOS晶体管和双极型（bipolar）晶体管的比较 | 第36-38页 |
| 4.3 基于CMOS工艺移相器的设计 | 第38-45页 |
| 4.3.1 11.25°、22.5°、45°和 90°移相器的仿真与优化 | 第38-42页 |
| 4.3.2 180°移相器的仿真与优化 | 第42-43页 |
| 4.3.3 5位相移单元级联的仿真与优化 | 第43-45页 |
| 4.4 基于BiCMOS工艺移相器的设计 | 第45-54页 |
| 4.4.1 11.25°、22.5°和 45°移相器的仿真与优化 | 第45-49页 |
| 4.4.2 90°和 180°移相器的仿真与优化 | 第49-51页 |
| 4.4.3 5 位相移单元级联的仿真与优化 | 第51-54页 |
| 第五章 移相器的版图设计与测试 | 第54-61页 |
| 5.1 版图设计规则 | 第54-58页 |
| 5.2 两种工艺下的移相器设计 | 第58-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 本文总结 | 第61-62页 |
| 6.2 工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
