| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-16页 |
| 1.1.1 自旋电子学 | 第10-13页 |
| 1.1.2 二维磁性纳米材料的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.1.3 材料基因组与高通量计算设计 | 第15-16页 |
| 1.2 二维过渡金属二氮化物研究综述 | 第16-18页 |
| 1.2.1 实验进展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 理论进展 | 第17-18页 |
| 1.2.3 问题与挑战 | 第18页 |
| 1.3 本文使用的计算软件包 | 第18-19页 |
| 1.4 本文研究思路与内容 | 第19-21页 |
| 1.5 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 密度泛函理论 | 第26-42页 |
| 2.1 密度泛函理论的基础 | 第26-31页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似(绝热近似) | 第26-27页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock方法 | 第27-31页 |
| 2.2 密度泛函理论的理论框架 | 第31-35页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第31-33页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第33-35页 |
| 2.3 密度泛函理论的近似方法 | 第35-37页 |
| 2.3.1 局域密度(LDA)近似 | 第35-36页 |
| 2.3.2 广义梯度(GGA)近似 | 第36页 |
| 2.3.3 强关联电子体系和DFT+U | 第36-37页 |
| 2.4 从头算分子动力学 | 第37-40页 |
| 2.4.1 经典分子动力学 | 第37-39页 |
| 2.4.2 正则系综分子动力学 | 第39-40页 |
| 2.4.3 从头算分子动力学 | 第40页 |
| 2.5 自旋密度泛函理论 | 第40-41页 |
| 2.6 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 二维过渡金属二氮化物的理论研究 | 第42-57页 |
| 3.1 序言 | 第42页 |
| 3.2 计算结果与讨论 | 第42-55页 |
| 3.2.1 高通量筛选 | 第42-47页 |
| 3.2.2 稳定性分析 | 第47-51页 |
| 3.2.3 1T-TaN_2单层的性质分析 | 第51-55页 |
| 3.3 小结 | 第55页 |
| 3.4 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 新型的p态狄拉克半金属材料YN_2单层的理论研究 | 第57-74页 |
| 4.1 序言 | 第57-58页 |
| 4.2 计算结果与讨论 | 第58-69页 |
| 4.2.1 高通量筛选 | 第58-60页 |
| 4.2.2 稳定性分析 | 第60-61页 |
| 4.2.3 1T-YN_2单层的性质分析 | 第61-65页 |
| 4.2.4 1T-YN_2单层的磁稳定性分析 | 第65-68页 |
| 4.2.5 探讨双层1T-YN_2 | 第68-69页 |
| 4.3 小结 | 第69页 |
| 4.4 参考文献 | 第69-74页 |
| 第五章 总结 | 第74-75页 |
| 附录 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及所获奖励 | 第78页 |