| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 WO_3的忆阻特性 | 第11-15页 |
| 1.2.1 忆阻器的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 忆阻器的阻变机制 | 第12-15页 |
| 1.2.3 WO_3忆阻现象的研究现状 | 第15页 |
| 1.3 WO_3纳米线的气体吸附 | 第15-16页 |
| 1.3.1 传感器技术 | 第15页 |
| 1.3.2 气敏传感器 | 第15-16页 |
| 1.3.3 WO_3材料的气体吸附 | 第16页 |
| 1.4 本文的研究意义及研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 WO_3纳米线的制备以及表征 | 第18-24页 |
| 2.0 引言 | 第18页 |
| 2.1 WO_3的结构与性质 | 第18-19页 |
| 2.2 WO_3一维纳米材料的制备 | 第19-20页 |
| 2.3 WO_3形貌和结构的表征 | 第20-22页 |
| 2.3.1 WO_3纳米线的XRD分析 | 第20-21页 |
| 2.3.2 WO_3纳米线的SEM分析 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 WO_3纳米线电输运性能的研究 | 第24-34页 |
| 3.1 背景 | 第24页 |
| 3.2 构筑WO_3纳米器件 | 第24-26页 |
| 3.3 测试系统 | 第26-27页 |
| 3.4 双端欧姆接触的WO_3纳米线器件的电学性能 | 第27-28页 |
| 3.5 WO_3纳米线器件的忆阻性 | 第28-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-34页 |
| 第四章 硫化氢对WO_3纳米线电输运性能的影响 | 第34-45页 |
| 4.1 背景 | 第34页 |
| 4.2 WO_3的气敏机理 | 第34-35页 |
| 4.3 WO_3在H_2S中的电输运性质 | 第35-39页 |
| 4.3.1 H_2S对WO_3纳米线的忆阻性能的影响 | 第36-38页 |
| 4.3.2 水吸附对WO_3忆阻效应的影响 | 第38-39页 |
| 4.4 忆阻器效应量的控制 | 第39-40页 |
| 4.5 忆阻效应的反转 | 第40-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结和展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-56页 |
| 附录：攻读硕士学位期间论文完成情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |