| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第14-33页 |
| 1.1 研究背景与选题意义 | 第14-15页 |
| 1.2 功率半导体模块定义 | 第15-16页 |
| 1.2.1 典型功率器件封装 | 第15-16页 |
| 1.2.2 智能功率模块封装 | 第16页 |
| 1.3 绝缘基板材料分类 | 第16-23页 |
| 1.3.1 绝缘基板性能要求 | 第16-17页 |
| 1.3.2 陶瓷绝缘基板 | 第17-21页 |
| 1.3.3 氮化硅绝缘基板 | 第21-22页 |
| 1.3.4 绝缘金属基板 | 第22-23页 |
| 1.4 陶瓷绝缘金属基板制备方法研究现状 | 第23-30页 |
| 1.4.1 微弧氧化 | 第24-25页 |
| 1.4.2 等离子喷涂 | 第25-27页 |
| 1.4.3 真空冷喷涂 | 第27-28页 |
| 1.4.4 涂覆烧结 | 第28-30页 |
| 1.5 氮化铝热增强材料体系 | 第30-31页 |
| 1.6 本文的主要研究现状 | 第31-33页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第33-42页 |
| 2.1 金属基板选择 | 第33-34页 |
| 2.2 实验材料与制备方法 | 第34-37页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第34-35页 |
| 2.2.2 复相陶瓷膜制备方法 | 第35-37页 |
| 2.3 分析表征与性能测试方法 | 第37-42页 |
| 2.3.1 红外光谱分析 | 第37页 |
| 2.3.2 扫描电镜分析 | 第37-38页 |
| 2.3.3 物相分析方法 | 第38页 |
| 2.3.4 差热-热重分析 | 第38页 |
| 2.3.5 透射电镜分析 | 第38页 |
| 2.3.6 划痕试验方法 | 第38页 |
| 2.3.7 纳米压痕测试方法 | 第38-39页 |
| 2.3.8 开气孔率和体积密度测试方法 | 第39页 |
| 2.3.9 热导率测试测试方法 | 第39-40页 |
| 2.3.10 绝缘电阻测试方法 | 第40页 |
| 2.3.11 直流/交流击穿电压与击穿场强测试方法 | 第40-42页 |
| 第3章 氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜/WCu基板设计与制备 | 第42-63页 |
| 3.1 氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜设计原理 | 第42-48页 |
| 3.1.1 氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜设计原理 | 第42-44页 |
| 3.1.2 氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜制备实验方案 | 第44-48页 |
| 3.2 WCu基板上烧结制备氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜 | 第48-57页 |
| 3.2.1 气氛条件对WCu基板上复相陶瓷膜制备影响规律 | 第48-51页 |
| 3.2.2 原料配比对WCu基板上复相陶瓷膜制备影响规律 | 第51-53页 |
| 3.2.3 热处理温度对WCu基板上复相陶瓷膜制备影响规律 | 第53-56页 |
| 3.2.4 WCu基板上复相陶瓷膜绝缘金属基板制备中存在问题 | 第56-57页 |
| 3.3 Cr-WCu基板上氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷绝缘金属基板制备 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜/Cr-WCu基板微观结构表征与反应机制 | 第63-87页 |
| 4.1 工艺参数对Cr-WCu基板上复相陶瓷膜微观结构影响 | 第63-72页 |
| 4.1.1 气氛条件对Cr-WCu基板上复相陶瓷膜微观结构影响 | 第63-64页 |
| 4.1.2 原料组分对Cr-WCu基板上复相陶瓷膜微观结构影响 | 第64-65页 |
| 4.1.3 烧结温度对Cr-WCu基板上复相陶瓷膜微观结构影响 | 第65-68页 |
| 4.1.4 保温时间对Cr-WCu基板上复相陶瓷膜微观结构影响 | 第68-70页 |
| 4.1.5 复相陶瓷反应烧结机制 | 第70-72页 |
| 4.2 工艺参数对陶瓷/Cr-WCu金属界面微观结构影响 | 第72-86页 |
| 4.2.1 Cr-W80Cu20基板 | 第72-77页 |
| 4.2.2 Cr-Ni-W80Cu20基板 | 第77-82页 |
| 4.2.3 陶瓷/Cr金属界面反应机制 | 第82-86页 |
| 4.3 本章小结 | 第86-87页 |
| 第5章 氮化铝-氧化铝-莫来石复相陶瓷膜绝缘金属基板基本性能表征 | 第87-119页 |
| 5.1 复相陶瓷膜绝缘金属基板表面附着性能及形貌 | 第87-91页 |
| 5.1.1 工艺参数对复相陶瓷膜表面附着性能影响 | 第87-89页 |
| 5.1.2 复相陶瓷膜绝缘金属基板抗热震性能 | 第89-91页 |
| 5.2 工艺参数对复相陶瓷膜致密度影响 | 第91-92页 |
| 5.3 复相陶瓷膜热导率计算与测试 | 第92-96页 |
| 5.3.1 复相陶瓷膜热导率计算 | 第92-93页 |
| 5.3.2 工艺参数对复相陶瓷膜热导率影响 | 第93-96页 |
| 5.4 复相陶瓷绝膜缘金属基板电气绝缘性能研究 | 第96-105页 |
| 5.4.1 复相陶瓷膜绝缘金属基板绝缘电阻性能研究 | 第96-99页 |
| 5.4.2 复相陶瓷膜绝缘金属基板击穿电压与击穿场强研究 | 第99-105页 |
| 5.5 复相陶瓷膜绝缘金属基板相对介电常数与介质损耗因数研究 | 第105-109页 |
| 5.5.1 复相陶瓷膜绝缘金属基板相对介电常数研究 | 第106-107页 |
| 5.5.2 复相陶瓷膜绝缘金属基板介质损耗因数研究 | 第107-109页 |
| 5.6 半桥功率模块封装与性能测试 | 第109-116页 |
| 5.6.1 半桥功率模块电路图形制备与封装 | 第109-111页 |
| 5.6.2 半桥功率模块封装热阻计算 | 第111-113页 |
| 5.6.3 半桥功率模块封装热阻测试 | 第113-116页 |
| 5.7 本章小结 | 第116-119页 |
| 结论 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 个人简历 | 第136页 |
