| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 红外探测技术简介 | 第8-15页 |
| 1.1.1 InGaAs红外探测器 | 第11-12页 |
| 1.1.2 碲镉汞红外探测器 | 第12-15页 |
| 1.2 暗电流分析方法 | 第15-16页 |
| 1.2.1 数值模型 | 第15页 |
| 1.2.2 解析模型 | 第15-16页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 InGaAs/InP雪崩光电二极管的暗电流分析 | 第17-28页 |
| 2.1 APD介绍 | 第17-21页 |
| 2.2 器件结构和物理模型 | 第21-23页 |
| 2.3 APD暗电流组分的提取 | 第23-24页 |
| 2.4 器件结构参数的影响 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 InP/InGaAs/InP p-i-n光电二极管的光电响应研究 | 第28-38页 |
| 3.1 器件结构与物理模型 | 第28-29页 |
| 3.2 吸收层对InP/InGaAS/InP p-i-n光电二极管光响应的影响 | 第29-34页 |
| 3.3 n-InP层对InP/InGaAS/InP p-i-n光电二极管光响应的影响 | 第34-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 碲镉汞红外光伏探测器暗电流特性分析 | 第38-54页 |
| 4.1 HgCdTe光伏器件的暗电流机制 | 第38-40页 |
| 4.2 参数提取方法 | 第40-41页 |
| 4.3 HgCdTe长波红外光伏探测器暗电流变温特性分析 | 第41-49页 |
| 4.4 HgCdTe中波红外光伏探测器退火性能分析 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结和展望 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第61页 |
