| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 1 硅材料在环境光催化领域的研究进展 | 第8-22页 |
| 1.1 光催化技术概述 | 第8-14页 |
| 1.1.1 光催化技术的基本原理 | 第8-9页 |
| 1.1.2 光催化技术的应用 | 第9-11页 |
| 1.1.3 光催化材料简介 | 第11-14页 |
| 1.2 硅纳米材料在环境领域的应用 | 第14-18页 |
| 1.2.1 硅纳米材料在环境领域的应用实例 | 第14-16页 |
| 1.2.2 硅纳米材料在环境中的应用缺陷 | 第16-18页 |
| 1.3 改善硅材料稳定性的方法 | 第18-20页 |
| 1.3.1 覆盖保护层 | 第18页 |
| 1.3.2 修饰官能团 | 第18-19页 |
| 1.3.3 量子限域效应 | 第19-20页 |
| 1.4 研究的目的、意义及内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 研究的目的及意义 | 第20页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第20-22页 |
| 2 硅量子点保护的硅纳米线的制备及表征 | 第22-35页 |
| 2.1 实验部分 | 第22-26页 |
| 2.1.1 实验材料与实验试剂 | 第22页 |
| 2.1.2 主要实验仪器 | 第22-23页 |
| 2.1.3 硅纳米线的制备 | 第23-24页 |
| 2.1.4 具有量子尺寸表面硅纳米线的制备 | 第24-25页 |
| 2.1.5 表征方法 | 第25-26页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第26-34页 |
| 2.2.1 硅纳米线阵列刻蚀时间的优化 | 第26-27页 |
| 2.2.2 多级硅纳米线制备参数的优化 | 第27-29页 |
| 2.2.3 样品形貌表征 | 第29-31页 |
| 2.2.4 元素组成分析 | 第31-32页 |
| 2.2.5 材料的光吸收性能 | 第32-33页 |
| 2.2.6 量子尺寸表面形成机理讨论 | 第33-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 硅量子点保护的硅纳米线光电性能研究 | 第35-45页 |
| 3.1 实验部分 | 第35-37页 |
| 3.1.1 实验试剂与材料 | 第35页 |
| 3.1.2 主要实验仪器 | 第35页 |
| 3.1.3 光电化学性能检测实验 | 第35-36页 |
| 3.1.4 降解 4-氯酚实验 | 第36-37页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第37-44页 |
| 3.2.1 光电化学性能 | 第37-40页 |
| 3.2.2 降解 4-氯酚性能 | 第40-42页 |
| 3.2.3 降解机理 | 第42-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 SiNW@SnO_2光电极的制备及优化 | 第45-50页 |
| 4.1 实验部分 | 第45-46页 |
| 4.1.1 实验材料与设备 | 第45页 |
| 4.1.2 SiNW@SnO_2光电极的制备 | 第45-46页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第46-49页 |
| 4.2.1 SnO_2沉积温度的优化 | 第46-48页 |
| 4.2.2 SnO_2沉积量的优化 | 第48-49页 |
| 4.2.3 SiNW@SnO_2光阳极产氧过电势测定 | 第49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |