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GaAs/AlGaAs二维电子系统的量子输运性质研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 引言第18-36页
    1.1 二维电子气与朗道量子化第18-23页
        1.1.1 GaAs/AlGaAs二维电子气第18-21页
        1.1.2 二维电子气在磁场下的朗道量子化第21-22页
        1.1.3 二维电子气在均匀磁场下的电输运特性第22-23页
    1.2 低磁场下的磁阻输运第23-29页
        1.2.1 Drude模型第23-24页
        1.2.2 Shubnikov-de Haas(SdH)振荡第24-25页
        1.2.3 磁-齐纳共振(MZTR)第25-27页
        1.2.4 磁-声学支声子共振(MAPR)第27-29页
    1.3 高磁场下的量子输运特性第29-33页
        1.3.1 整数量子霍尔态第29-31页
        1.3.2 分数量子霍尔态第31-33页
    1.4 总结第33-36页
第二章 窄Hall-bar的弹道输运测量第36-56页
    2.1 引言第36页
    2.2 低磁场下窄Hall-bar样品的纵向磁阻的非线性测量第36-47页
        2.2.1 样品制备与测量方法第39-42页
        2.2.2 数据分析与讨论第42-47页
        2.2.3 总结第47页
    2.3 低磁场下窄Hall-bar样品的Cross-junction的非线性测量第47-54页
        2.3.1 测量方法第51页
        2.3.2 数据分析与讨论第51-54页
        2.3.3 总结第54页
    2.4 总结第54-56页
第三章 电-声子散射在直流偏置下的磁阻特性第56-66页
    3.1 引言第56页
    3.2 理论模型第56-59页
    3.3 样品制备与测量方法第59-60页
    3.4 数据分析与讨论第60-65页
        3.4.1 磁-齐纳共振与磁-声学支声子共振第60-61页
        3.4.2 电-声子散射在直流偏置下的磁阻测量第61-65页
    3.5 总结第65-66页
第四章 法布里-珀罗量子霍尔干涉器的研究第66-92页
    4.1 引言第66-67页
    4.2 量子霍尔系统中的非阿贝尔任意子第67-69页
    4.3 量子点接触(QPC)第69-75页
        4.3.1 零磁场下量子化的电导平台第70-71页
        4.3.2 高磁场下的边缘态散射第71-73页
        4.3.3 Landauer-B¨uttiker公式第73-75页
    4.4 法布里-珀罗量子干涉器中的AB效应与库仑阻塞效应第75-78页
    4.5 样品制备与测量方法第78-79页
    4.6 实验数据与分析第79-90页
        4.6.1 器件特性表征第79-81页
        4.6.2 整数量子霍尔态的库仑阻塞振荡第81-90页
    4.7 总结与展望第90-92页
第五章 总结与展望第92-94页
参考文献第94-106页
个人简历第106-108页
发表文章目录第108-109页
致谢第109-111页

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