| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 X射线成像探测器研究进展 | 第10-14页 |
| 1.1.1 X射线胶片成像 | 第10-11页 |
| 1.1.2 X射线影像增强器成像 | 第11页 |
| 1.1.3 计算机X射线成像 | 第11-12页 |
| 1.1.4 数字X射线探测器成像 | 第12-14页 |
| 1.2 CsI:Tl转换屏的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 本论文的研究内容及创新点 | 第17-19页 |
| 1.3.1 本论文的研究内容 | 第17-18页 |
| 1.3.2 本论文的创新点 | 第18-19页 |
| 第二章 硅基深孔阵列的设计及制备 | 第19-41页 |
| 2.1 高深宽比硅基微纳加工技术 | 第19-20页 |
| 2.2 硅基电化学刻蚀深孔阵列形成机理 | 第20-24页 |
| 2.2.1 Beale模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Unagami模型 | 第22-23页 |
| 2.2.3 扩散机制模型 | 第23-24页 |
| 2.2.4 电化学掏空模型 | 第24页 |
| 2.3 光助电化学刻蚀工艺流程 | 第24-28页 |
| 2.3.1 镀膜、光刻掩膜 | 第25-26页 |
| 2.3.2 KOH溶液刻蚀硅基倒金字塔结构 | 第26-27页 |
| 2.3.3 HF溶液刻蚀硅基深孔 | 第27-28页 |
| 2.4 刻蚀实验结果分析 | 第28-40页 |
| 2.4.1 刻蚀电压对刻蚀形貌的影响 | 第29-32页 |
| 2.4.2 硅片电阻率对刻蚀形貌的影响 | 第32-34页 |
| 2.4.3 表面活性剂（C2H5OH）对刻蚀形貌的影响 | 第34-36页 |
| 2.4.4 其他刻蚀因素对刻蚀形貌的影响 | 第36-38页 |
| 2.4.5 光助电化学刻蚀工艺相关成果 | 第38-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 硅基深孔阵列氧化与填充 | 第41-51页 |
| 3.1 氧化工艺 | 第41-46页 |
| 3.1.1 氧化工艺方法及实验步骤 | 第41-45页 |
| 3.1.2 样品氧化后的测试及分析 | 第45-46页 |
| 3.2 填充工艺 | 第46-50页 |
| 3.2.1 填充工艺方法及实验步骤 | 第46-48页 |
| 3.2.2 样品填充后的测试及分析 | 第48-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章X射线探测器性能分析 | 第51-62页 |
| 4.1 实验测定调制传递函数（MTF）和量子探测效率（DQE） | 第51-61页 |
| 4.2 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68页 |