应用于TD-LTE的SiGe BiCMOS功率放大器研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 注释表 | 第8-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-14页 |
| 1.1.1 移动通信系统的发展 | 第9-12页 |
| 1.1.2 射频收发系统 | 第12-14页 |
| 1.2 射频功率放大器研究进展及现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 研究进展 | 第14-15页 |
| 1.2.2 国内外功率放大器主要研究成果与现状 | 第15-17页 |
| 1.3 工艺介绍 | 第17-19页 |
| 1.4 本文结构安排 | 第19-21页 |
| 第2章 射频功率放大器基本理论 | 第21-35页 |
| 2.1 射频功率放大器的主要技术指标 | 第21-28页 |
| 2.1.1 工作频率范围 | 第21页 |
| 2.1.2 功率增益 | 第21-22页 |
| 2.1.3 输出功率 | 第22页 |
| 2.1.4 线性度 | 第22-24页 |
| 2.1.5 效率 | 第24-25页 |
| 2.1.6 S参数 | 第25-27页 |
| 2.1.7 稳定性 | 第27-28页 |
| 2.2 功率放大器分类 | 第28-33页 |
| 2.2.1 传统功率放大器 | 第28-31页 |
| 2.2.2 开关模型功率放大器 | 第31-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 功率放大器基本电路结构方案 | 第35-45页 |
| 3.1 共射极放大器 | 第36-38页 |
| 3.2 共基极放大器 | 第38-39页 |
| 3.3 共集电极放大器 | 第39-41页 |
| 3.4 Cascode放大器 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 SiGe BiCMOS功率放大器设计 | 第45-61页 |
| 4.1 功率放大器设计指标 | 第45-47页 |
| 4.2 功率放大器总体电路设计 | 第47-48页 |
| 4.3 驱动级电路设计 | 第48-52页 |
| 4.3.1 Stacked结构 | 第49页 |
| 4.3.2 驱动级功率放大器分析 | 第49-50页 |
| 4.3.3 与差分Cascode结构的对比 | 第50-52页 |
| 4.4 功率级电路设计 | 第52-56页 |
| 4.4.1 BiFET结构 | 第53-54页 |
| 4.4.2 两级功率放大器仿真与分析 | 第54-56页 |
| 4.5 整体电路前仿真结果及分析 | 第56-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 功率放大器版图设计与验证 | 第61-66页 |
| 5.1 SiGe BiCMOS工艺库介绍 | 第61页 |
| 5.2 版图设计流程 | 第61-63页 |
| 5.3 核心电路版图设计与仿真验证 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 | 第73页 |
