| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 1. 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 二维的二硫化钼的基本性质与研究 | 第12-19页 |
| 1.1.1 二维的二硫化钼的结构与性能 | 第12-16页 |
| 1.1.2 二维的二硫化钼的应用 | 第16-19页 |
| 1.2 二维材料的制备方法 | 第19-30页 |
| 1.2.1 二维材料制备方法简介 | 第19-25页 |
| 1.2.2 CVD制备二维材料条件的调控及优化 | 第25-30页 |
| 1.3 二维的二硫化钼及其异质结的研究进展概述 | 第30-33页 |
| 1.4 课题的提出和意义 | 第33-34页 |
| 2. 二维的二硫化钼的化学气相沉积制备 | 第34-50页 |
| 2.1 概述 | 第34页 |
| 2.2 实验部分 | 第34-37页 |
| 2.2.1 主要试剂和药品 | 第34-35页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第35-36页 |
| 2.2.3 仪器表征和制样方法 | 第36-37页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第37-49页 |
| 2.3.1 CVD方法制备类石墨烯二硫化钼的结果与表征 | 第37-40页 |
| 2.3.2 不同硫蒸汽浓度对单层二硫化钼生长的影响 | 第40-42页 |
| 2.3.3 不同生长温度对单层二硫化钼生长的影响 | 第42-43页 |
| 2.3.4 二硫化钼纳米带的制备及表征 | 第43-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 3. 二维材料/PTCDA异质结制备及荧光性能研究 | 第50-72页 |
| 3.1 概述 | 第50页 |
| 3.2 实验部分 | 第50-53页 |
| 3.2.1 实验试剂和原料 | 第50-51页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第51页 |
| 3.2.3 实验表征 | 第51-53页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第53-69页 |
| 3.3.1 MoS_2/PTCDA异质结拉曼及荧光性能研究 | 第53-67页 |
| 3.3.2 石墨烯/PTCDA异质结拉曼及荧光性能研究 | 第67-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-72页 |
| 4. 主要结论与创新点 | 第72-74页 |
| 4.1 主要结论 | 第72-73页 |
| 4.2 创新点 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第82页 |
