| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-45页 |
| 1.1 有机微纳半导体材料概述 | 第10-12页 |
| 1.1.1 有机半导体材料的发展 | 第10-12页 |
| 1.1.2 有机小分子微纳晶体材料的发展 | 第12页 |
| 1.2 大面积有机微纳晶体材料的制备 | 第12-38页 |
| 1.2.1 制备大面积有机小分子微纳晶体材料的意义 | 第12-13页 |
| 1.2.2 一维有机微纳晶体的阵列化、图案化制备方法 | 第13-28页 |
| 1.2.3 二维有机微纳晶体薄膜材料制备方法 | 第28-38页 |
| 1.3 课题的提出与意义 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-45页 |
| 第二章 光刻胶辅助提拉法原位快速生长大面积高度有序的一维C60微米线阵列及其光电探测性能的研究 | 第45-64页 |
| 2.1 引言 | 第45-46页 |
| 2.2 实验部分 | 第46-49页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第46页 |
| 2.2.2 实验仪器与操作 | 第46-47页 |
| 2.2.3 C60微米线阵列的制备 | 第47-48页 |
| 2.2.4 基于C60微米线阵列光电探测器的制备 | 第48页 |
| 2.2.5 双层C60微米线阵列薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第49-60页 |
| 2.3.1 C60微米线阵列的生长和形貌结构表征 | 第49-52页 |
| 2.3.2 C60微米线阵列在电极对上定位生长和密度调控实验 | 第52-53页 |
| 2.3.3 C60微米线阵列生长控制实验和机理解释 | 第53-57页 |
| 2.3.4 基于C60微米线阵列光电探测器件的性能测试 | 第57-59页 |
| 2.3.5 双层C60微米线阵列薄膜的生长表征 | 第59-60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第三章 利用三相界面法制备二维大面积C10-BTBT单晶薄膜及其有机场效应晶体管（OFETs）的研究 | 第64-90页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 实验部分 | 第65-69页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第65-66页 |
| 3.2.2 实验仪器与操作 | 第66-67页 |
| 3.2.3 二维有机C10-BTBT单晶薄膜的制备 | 第67-68页 |
| 3.2.4 基于二维有机C10-BTBT单晶薄膜OFETs器件制备 | 第68-69页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第69-86页 |
| 3.3.1 亲疏水修饰和溶剂对的选择对实验过程的影响 | 第69-70页 |
| 3.3.2 二维有机C10-BTBT单晶薄膜的形貌和结构表征 | 第70-76页 |
| 3.3.3 二维有机C10-BTBT单晶薄膜的生长机理解释 | 第76-80页 |
| 3.3.4 二维有机C10-BTBT单晶薄膜的厚度控制实验 | 第80-81页 |
| 3.3.5 基于二维有机C10-BTBT单晶薄膜OFETs器件性能测试 | 第81-86页 |
| 3.4 本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 结论 | 第90-92页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
