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基于直流真空断路器的混磁触头结构设计及磁场分析

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-17页
    1.1 研究背景及意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-16页
        1.2.1 高压直流断路器研究现状第10-11页
        1.2.2 真空断路器研究现状第11-12页
        1.2.3 触头结构研究现状第12-13页
        1.2.4 真空电弧研究现状第13-16页
    1.3 本文的主要研究内容第16-17页
第2章 磁控数学模型及流体模型第17-33页
    2.1 磁控数学模型第17-19页
        2.1.1 纵磁磁控数学模型第17-19页
        2.1.2 横磁磁控数学模型第19页
    2.2 等离子体数学模型第19-32页
        2.2.1 化学反应方程第19-21页
        2.2.2 等离子体流体理论模型第21-29页
        2.2.3 电磁场方程第29-30页
        2.2.4 边界条件第30-32页
    2.3 本章小结第32-33页
第3章 嵌合型杯状横-纵磁触头结构磁场分析第33-45页
    3.1 杯状横磁触头与杯状纵磁触头磁场分析第33-35页
    3.2 嵌合型杯状横-纵磁触头磁场仿真分析第35-42页
        3.2.1 触头结构第35-36页
        3.2.2 稳态场仿真分析第36-39页
        3.2.3 剩余场仿真分析第39-42页
    3.3 嵌合型杯状横-纵磁触头结构优化及磁场分析第42-44页
    3.4 本章小结第44-45页
第4章 真空同轴横磁触头电弧逸散特性研究第45-54页
    4.1 同轴横磁触头结构及运动轨迹猜想第45-48页
        4.1.1 触头结构第45-46页
        4.1.2 电弧运动轨迹猜想第46-48页
    4.2 各区域电弧磁场与力分布第48-52页
    4.3 各类型横磁触头磁场分布及受力对比第52-53页
    4.4 本章小结第53-54页
第5章 结论第54-55页
参考文献第55-61页
在学研究成果第61-62页
致谢第62页

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