| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 红外探测器概述 | 第12-15页 |
| 1.2 微测辐射热计的基本原理 | 第15-17页 |
| 1.3 氧化钒基红外探测器的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 氧化钒的基本性质及其应用 | 第19-23页 |
| 1.4.1 氧化钒薄膜的热敏特性 | 第21-22页 |
| 1.4.2 氧化钒薄膜的光学特性 | 第22-23页 |
| 1.5 研究目的及意义 | 第23-25页 |
| 第二章 氧化钒的制备及表征 | 第25-33页 |
| 2.1 氧化钒的制备方法 | 第25-28页 |
| 2.1.1 真空蒸发法 | 第25页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积法 | 第25-26页 |
| 2.1.3 化学气相沉积 | 第26页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第26-27页 |
| 2.1.5 溅射法 | 第27-28页 |
| 2.2 实验材料 | 第28页 |
| 2.3 实验设备 | 第28-30页 |
| 2.3.1 磁控溅射设备 | 第28-29页 |
| 2.3.2 退火设备 | 第29-30页 |
| 2.4 实验步骤 | 第30页 |
| 2.4.1 基片的清洗 | 第30页 |
| 2.4.2 制备流程 | 第30页 |
| 2.5 表征方法 | 第30-33页 |
| 2.5.1 X射线衍射(XRD)及掠入射X射线衍射(GRXRD) | 第30-31页 |
| 2.5.2 X射线光电子能谱 | 第31页 |
| 2.5.3 拉曼光谱仪(Raman) | 第31页 |
| 2.5.4 紫外-可见分光光度计 | 第31-32页 |
| 2.5.5 透射电子显微镜(TEM) | 第32页 |
| 2.5.6 四探针电阻测试仪 | 第32-33页 |
| 第三章 基于自制VO_2纳米粉体靶溅射法制备VO_2薄膜 | 第33-43页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 氧分压对制备VO_2薄膜的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.1 实验工艺 | 第33-34页 |
| 3.2.2 物相分析 | 第34-35页 |
| 3.3 退火温度对制备VO_2薄膜的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.1 实验工艺 | 第35-36页 |
| 3.3.2 物相分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 电学性能分析 | 第37-38页 |
| 3.4 溅射时间对制备VO_2薄膜的影响 | 第38-41页 |
| 3.4.1 实验工艺 | 第38-39页 |
| 3.4.2 物相分析 | 第39-40页 |
| 3.4.3 电学性能分析 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 二氧化钛缓冲层诱导生长二氧化钒热敏薄膜 | 第43-63页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 TIO_2缓冲层的制备 | 第44-45页 |
| 4.2.1 实验工艺 | 第45页 |
| 4.2.2 物相分析 | 第45页 |
| 4.3 TIO_2(A)缓冲层对VO_2晶体结构的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.1 实验工艺 | 第46页 |
| 4.3.2 物相表征 | 第46-47页 |
| 4.4 TIO_2(A)缓冲层诱导生长高性能VO_2薄膜 | 第47-59页 |
| 4.4.1 实验工艺 | 第47-48页 |
| 4.4.2 物相分析 | 第48-51页 |
| 4.4.3 微观结构分析 | 第51-52页 |
| 4.4.4 元素组成分析 | 第52-53页 |
| 4.4.5 电学性能分析 | 第53-54页 |
| 4.4.6 基于第一性原理的理论分析 | 第54-59页 |
| 4.5 大面积制备二氧化钛缓冲层诱导生长的二氧化钒热敏薄膜的初步探究 | 第59-61页 |
| 4.5.1 工艺流程 | 第59-60页 |
| 4.5.2 电学性质均匀性表征 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论和展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 作者在攻读硕士学位期间的成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
