| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 薄膜太阳电池物理简介 | 第13-17页 |
| 1.2.1 太阳辐射 | 第13页 |
| 1.2.2 半导体薄膜中的光吸收 | 第13-15页 |
| 1.2.3 半导体pn结 | 第15-17页 |
| 1.3 CZTS基薄膜太阳电池概述 | 第17-30页 |
| 1.3.1 CZTS的晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.3.2 CZTS的性质及其作为吸光层的优势 | 第18-21页 |
| 1.3.3 CZTS基薄膜太阳电池的结构 | 第21-23页 |
| 1.3.4 CZTS类半导体薄膜的制备方法 | 第23-29页 |
| 1.3.5 CZTS基太阳电池面临的关键问题 | 第29-30页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第30-32页 |
| 第2章 CZTS类半导体的表征 | 第32-40页 |
| 2.1 CZTS薄膜的表征 | 第32-36页 |
| 2.1.1 X射线衍射谱 | 第32-34页 |
| 2.1.2 拉曼光谱 | 第34-35页 |
| 2.1.3 扫描电子显微分析 | 第35页 |
| 2.1.4 X射线能量色散谱 | 第35-36页 |
| 2.1.5 光吸收谱 | 第36页 |
| 2.2 CZTS光伏器件的表征 | 第36-40页 |
| 2.2.1 伏安特性曲线 | 第36-37页 |
| 2.2.2 量子效率 | 第37-40页 |
| 第3章 杂化墨水法制备CZTSSe薄膜及其性能研究 | 第40-54页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验方法 | 第41-42页 |
| 3.2.1 用机械化学法合成CZTS粉末 | 第41页 |
| 3.2.2 用杂化墨水制备CZTSSe薄膜 | 第41-42页 |
| 3.2.3 光伏器件的制备 | 第42页 |
| 3.2.4 材料和器件的表征 | 第42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-52页 |
| 3.3.1 机械化学反应合成CZTS的机制 | 第42-46页 |
| 3.3.2 杂化墨水制备CZTSSe薄膜的机制 | 第46-50页 |
| 3.3.3 器件性能的表征 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 连续热处理对CZTSSe薄膜太阳电池性能的影响 | 第54-68页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 实验方法 | 第55-58页 |
| 4.2.1 制备CZTSSe薄膜 | 第55-56页 |
| 4.2.2 CZTSSe薄膜的结构表征与性能测试 | 第56页 |
| 4.2.3 器件的模拟方法 | 第56-58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-67页 |
| 4.3.1 薄膜的结构表征 | 第58-60页 |
| 4.3.2 形貌与成分表征 | 第60-62页 |
| 4.3.3 光学性质表征 | 第62-63页 |
| 4.3.4 器件的性能模拟 | 第63-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 双轴应变作用下CZTS的电学和光学性质 | 第68-78页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 计算方法 | 第68-70页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第70-75页 |
| 5.3.1 双轴应变下的晶格常数和晶体结构 | 第70-71页 |
| 5.3.2 应变作用下的电子结构 | 第71-73页 |
| 5.3.3 应变作用下的光学性质 | 第73-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-100页 |
| 在学期间取得的科研成果 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102页 |