单层二硫化钼的化学气相沉积法制备及其表征
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-25页 |
| ·二硫化钼的结构 | 第10-12页 |
| ·二硫化钼的性质 | 第12-14页 |
| ·二硫化钼的光学性质 | 第12页 |
| ·二硫化钼的电学性质 | 第12-13页 |
| ·二硫化钼的力学性质 | 第13-14页 |
| ·二硫化钼的制备方法 | 第14-22页 |
| ·“自顶向下”的制备方法 | 第14-18页 |
| ·“自底向上”的制备方法 | 第18-22页 |
| ·二硫化钼的应用 | 第22-24页 |
| ·固体润滑剂 | 第22页 |
| ·场效应晶体管 | 第22-23页 |
| ·传感器 | 第23-24页 |
| ·催化剂 | 第24页 |
| ·本文选题依据及主要研究内容 | 第24-25页 |
| 2 实验材料设备及表征技术 | 第25-31页 |
| ·实验材料设备 | 第25-27页 |
| ·实验材料 | 第25页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·CVD生长设备 | 第26-27页 |
| ·表征技术 | 第27-30页 |
| ·光学显微镜 | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| ·拉曼光谱 | 第28-29页 |
| ·光致发光谱 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 硫化三氧化钼法制备单层二硫化钼 | 第31-42页 |
| ·本章引论 | 第31页 |
| ·实验部分 | 第31-32页 |
| ·衬底的处理 | 第32页 |
| ·实验流程 | 第32页 |
| ·不同条件对单层二硫化钼制备的影响 | 第32-37页 |
| ·不同衬底的种类对单层二硫化钼的影响 | 第32-33页 |
| ·不同清洗衬底的方式对单层二硫化钼的影响 | 第33-34页 |
| ·不同的生长温度对单层二硫化钼的影响 | 第34-35页 |
| ·不同钼源的用量对单层二硫化钼的影响 | 第35-36页 |
| ·不同衬底与钼源的间距对单层二硫化钼的影响 | 第36-37页 |
| ·二硫化钼的表征 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 石墨烯量子点对二硫化钼生长的催化作用研究 | 第42-49页 |
| ·本章引论 | 第42页 |
| ·实验部分 | 第42-44页 |
| ·石墨烯量子点的制备 | 第43页 |
| ·衬底的处理 | 第43页 |
| ·制备二硫化钼的实验流程 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第52-54页 |
| 学位论文数据集 | 第54页 |
