| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 引言 | 第9-15页 |
| ·霍尔效应与反常霍尔效应 | 第9-10页 |
| ·量子霍尔效应与量子反常霍尔效应 | 第10-11页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第11-14页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第11-13页 |
| ·磁掺杂拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要内容 | 第14-15页 |
| 2 基础原理和计算软件 | 第15-23页 |
| ·第一性原理 | 第15-16页 |
| ·绝热近似和单电子近似 | 第16-17页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-19页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第17-18页 |
| ·KS 方程 | 第18-19页 |
| ·交换关联能泛函 | 第19页 |
| ·赝势方法 | 第19-20页 |
| ·计算软件 | 第20-23页 |
| ·VASP 程序 | 第20-21页 |
| ·Material Studio 程序 | 第21-23页 |
| 3 应变对 Mn 掺杂 Bi2Se3薄膜磁性和电子结构的影响研究 | 第23-31页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·计算细节 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-29页 |
| ·应变对 Mn 掺 Bi2Se3磁性的影响研究 | 第24-27页 |
| ·应变对 Mn 掺 Bi2Se3电子结构的影响研究 | 第27-29页 |
| ·结论 | 第29-31页 |
| 4 应变对 Cr 掺杂拓扑绝缘体 Bi2Se3块材磁性的影响研究 | 第31-35页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·计算细节 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| 5 全文总结 | 第35-37页 |
| 致谢 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-45页 |
| 附录 | 第45-49页 |
| 攻读硕士期间所发表的论文 | 第49页 |
