| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| ·卟啉类、酞菁类化合物的概述 | 第15-16页 |
| ·卟啉、酞菁简介 | 第15页 |
| ·酞菁类卟啉类化合物的应用 | 第15-16页 |
| ·卟啉、酞菁类化合物的自组装纳米结构研究进展 | 第16-17页 |
| ·超分子化学概述 | 第16页 |
| ·卟啉酞菁类化合物的自组装纳米结构研究进展 | 第16-17页 |
| ·有机场效应晶体管概述 | 第17-19页 |
| ·有机场效应晶体管的研究概况 | 第17页 |
| ·有机场效应晶体管结构简介 | 第17-18页 |
| ·酞菁卟啉类化合物关于场效应晶体管方面的研究进展 | 第18-19页 |
| 第二章 溶剂影响的八酚氧基酞菁锌配合物的自组装纳米结构的性质研究 | 第19-37页 |
| ·前言 | 第19-20页 |
| ·仪器与试剂 | 第20-21页 |
| ·仪器 | 第20页 |
| ·试剂 | 第20-21页 |
| ·实验部分 | 第21-22页 |
| ·Zn[Pc(OPh)_8]的合成方法 | 第21-22页 |
| ·实验步骤 | 第22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-35页 |
| ·差分脉冲伏安法（DPV）分析 | 第22-23页 |
| ·电子吸收光谱表征 | 第23-24页 |
| ·荧光发射光谱表征 | 第24-25页 |
| ·红外光谱表征 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第26-28页 |
| ·XPS 能谱分析 | 第28-29页 |
| ·透射电子显微镜（TEM）分析 | 第29-30页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第30-33页 |
| ·形貌的形成机理分析 | 第33-34页 |
| ·I-V 性质研究 | 第34-35页 |
| ·结论 | 第35-37页 |
| 第三章 高性能可溶剂加工处理的空气中稳定平衡的双极性三层卟啉酞菁稀土配合物的设计合成及其自组装膜 OFET 性质的研究 | 第37-51页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验相关 | 第38-42页 |
| ·相关试剂 | 第38-39页 |
| ·相关仪器 | 第39-40页 |
| ·合成 | 第40-42页 |
| ·QLS 方法制备有序薄膜的方法 | 第42页 |
| ·谱图表征 | 第42-45页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第42-43页 |
| ·质谱 | 第43页 |
| ·核磁分析 | 第43-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-50页 |
| ·循环伏安法（CV）测试 | 第45-46页 |
| ·X 射线衍射光谱（XRD） | 第46-47页 |
| ·QLS 自组装膜的紫外-可见吸收光谱表征 | 第47-48页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）图像分析 | 第48页 |
| ·OTFT 性能测试 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第四章 一系列结构新颖的混杂卟啉酞菁三层稀土配合物的合成及自组装纳米结构的控制制备及 OFET 性质研究 | 第51-71页 |
| ·前言 | 第51-52页 |
| ·实验部分 | 第52-60页 |
| ·合成步骤 | 第52-59页 |
| ·自组装方法 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-69页 |
| ·聚集体形貌表征 | 第60-62页 |
| ·紫外-可见吸收光谱分析 | 第62-64页 |
| ·X 射线衍射光谱和高分辨电镜分析 | 第64-67页 |
| ·化合物差分脉冲伏安 (DPV)分析 | 第67-68页 |
| ·OFET 性能测试 | 第68-69页 |
| ·结论 | 第69-71页 |
| 第五章 一种卟啉酞菁三明治型配合物(TPyP)Eu2[Pc(OPh)8]2的合成及其不同形貌自组装纳米聚集体的制备和 I-V 性质研究 | 第71-83页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·实验部分 | 第72-74页 |
| ·(TPyP)Eu_2[Pc(OPh)_8]_2的合成步骤 | 第72-73页 |
| ·自组装聚集体的制备方法 | 第73-74页 |
| ·相关谱图表征 | 第74-75页 |
| ·质谱 | 第74页 |
| ·~1HNMR 核磁分析 | 第74-75页 |
| ·差分脉冲伏安(DPV)测试 | 第75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-82页 |
| ·聚集体的形貌表征 | 第75-76页 |
| ·紫外-可见吸收光谱分析 | 第76-78页 |
| ·自组装聚集体的 X 射线衍射(XRD)表征及其组装机理探究 | 第78-81页 |
| ·I-V 曲线测定 | 第81-82页 |
| ·结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 附录 | 第96页 |
