| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·InN 材料的特性及制备 | 第10-16页 |
| ·InN 材料的应用前景 | 第10-11页 |
| ·InN 材料的制备方法 | 第11-13页 |
| ·InN 材料的基本性质 | 第13-16页 |
| ·极性表面平板底层的 H 封闭方法 | 第16-18页 |
| ·本论文主要工作内容及研究重点 | 第18-19页 |
| 第二章 量子化学计算方法 | 第19-26页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-24页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第20-21页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第21-22页 |
| ·交换相关泛函 | 第22-24页 |
| ·自洽迭代过程的介绍 | 第24-26页 |
| 第三章 InN (0001) 和 (000-1) 表面完整及缺陷结构的密度泛函理论研究 | 第26-36页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·计算方法和模型 | 第26-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-35页 |
| ·InN (0001) 缺陷表面的形成能 | 第28-29页 |
| ·InN (000-1) 缺陷表面的形成能 | 第29-30页 |
| ·InN (0001) 缺陷表面的构型和电子性质 | 第30-32页 |
| ·InN (000-1) 缺陷表面的构型和电子性质 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 O_2在 InN (0001) 和 (000-1) 表面吸附的理论研究 | 第36-46页 |
| ·概述 | 第36页 |
| ·计算方法及模型 | 第36-37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-45页 |
| ·O_2在 InN (0001) 表面的吸附构型 | 第37-40页 |
| ·O_2在 InN (000-1) 表面的吸附构型 | 第40-41页 |
| ·电子结构分析 | 第41-42页 |
| ·O_2在 InN 表面解离吸附过程 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 N_2O 在 InN (0001) 表面解离吸附的研究 | 第46-54页 |
| ·概述 | 第46-47页 |
| ·计算方法及模型 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-53页 |
| ·N_2O 在 InN（0001）表面的吸附构型 | 第48-50页 |
| ·N_2O 在 InN（0001）表面吸附的电子结构 | 第50-51页 |
| ·N_2O 在 InN (0001) 表面解离吸附的过程 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 氧原子在 InN(0001)表面吸附及嵌入的研究 | 第54-60页 |
| ·概述 | 第54页 |
| ·计算方法和模型 | 第54-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·氧原子在 InN (0001) 和 (000-1) 表面的吸附 | 第56-58页 |
| ·氧原子嵌入 InN (0001) 表面 | 第58页 |
| ·氧原子掺杂体系的电子结构 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历 | 第71页 |
| 在学期间发表的论文情况 | 第71页 |
