| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 综述 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SiC 材料与器件 | 第9-13页 |
| ·SiC 晶格结构 | 第9-10页 |
| ·SiC 能带结构 | 第10-12页 |
| ·SiC 基本性质 | 第12页 |
| ·SiC 电子器件 | 第12-13页 |
| ·SiC 辐照损伤的国外研究现状 | 第13-19页 |
| ·D1、E1/E2和 Z1/Z2缺陷心 | 第13-15页 |
| ·SiC 辐照非晶化及重结晶 | 第15-18页 |
| ·SiC 辐照缺陷的回复过程 | 第18-19页 |
| ·SiC 辐照损伤的国内研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文的主要工作 | 第20-21页 |
| ·本文的研究意义 | 第21-22页 |
| 第二章 晶体缺陷 | 第22-31页 |
| ·缺陷的分类 | 第22页 |
| ·点缺陷 | 第22-28页 |
| ·点缺陷的迁移 | 第22-25页 |
| ·点缺陷的结合 | 第25-27页 |
| ·点缺陷对晶体性能的影响 | 第27-28页 |
| ·位错 | 第28-29页 |
| ·点缺陷与位错的反应 | 第29-31页 |
| 第三章 中子辐照损伤 | 第31-51页 |
| ·中子辐照损伤类型 | 第31-32页 |
| ·聚焦碰撞和沟道效应 | 第32-38页 |
| ·聚焦碰撞 | 第32-35页 |
| ·沟道效应 | 第35-38页 |
| ·中子辐照损伤峰 | 第38-41页 |
| ·中子辐照损伤计算 | 第41-45页 |
| ·中子能量传递微分截面 | 第41-43页 |
| ·中子辐照下 PKA 数量和平均能量分布 | 第43-44页 |
| ·中子辐照下 PKA 浓度和损伤分布 | 第44-45页 |
| ·中子辐照产生的体缺陷 | 第45-47页 |
| ·辐照损伤演化和显微结构演化 | 第47-49页 |
| ·辐照缺陷回复的一般规律 | 第49-51页 |
| 第四章 测试技术 | 第51-60页 |
| ·拉曼光谱 | 第51-55页 |
| ·拉曼散射原理 | 第51-52页 |
| ·拉曼光谱参数 | 第52-53页 |
| ·增强拉曼光谱法 | 第53页 |
| ·拉曼光谱分析法 | 第53-55页 |
| ·X 射线衍射 | 第55-60页 |
| ·X 射线衍射条件 | 第55-56页 |
| ·X 射线衍射运动学理论 | 第56-57页 |
| ·X 射线衍射峰强度和半高宽 | 第57-59页 |
| ·X 射线衍射分析法 | 第59-60页 |
| 第五章 辐照缺陷的拉曼光谱分析 | 第60-81页 |
| ·样品制备与表征 | 第61-62页 |
| ·6H-SiC 色散曲线和拉曼光谱 | 第62-69页 |
| ·晶格振动的对称性分类方法 | 第62-63页 |
| ·3C-SiC 晶格振动的对称性分类 | 第63-65页 |
| ·3C-SiC 色散曲线 | 第65-67页 |
| ·6H-SiC 色散曲线 | 第67-68页 |
| ·6H-SiC 拉曼光谱 | 第68-69页 |
| ·中子辐照产生的拉曼峰及其归属 | 第69-73页 |
| ·光学模的声子限制效应和 FLO_(0/6)-FTO_(2/6)劈裂 | 第73-77页 |
| ·声子限制效应 | 第73-75页 |
| ·拉曼峰红移与 FLO_(0/6)-FTO_(2/6)劈裂 | 第75-77页 |
| ·拉曼光谱的退火演化规律 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第六章 石墨团的形成机制 | 第81-96页 |
| ·样品制备与表征 | 第81-82页 |
| ·石墨团的产生条件 | 第82-88页 |
| ·石墨团形成的微观机制 | 第88-90页 |
| ·预退火处理对石墨团的影响 | 第90-94页 |
| ·石墨团的热稳定性 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第七章 辐照缺陷的 X 射线衍射分析及晶体测温 | 第96-111页 |
| ·样品制备与表征 | 第96页 |
| ·辐照缺陷的类型 | 第96-101页 |
| ·辐照晶体的 X 射线衍射 | 第101-102页 |
| ·辐照缺陷的回复规律 | 第102-106页 |
| ·辐照 SiC 晶体测温技术 | 第106-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第八章 总结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-130页 |
| 科研成果 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131页 |