激光诱导击穿光谱应用于硅片中金属元素的扩散分析
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·激光诱导击穿光谱技术发展历史 | 第13-14页 |
| ·激光诱导击穿光谱技术特点 | 第14-16页 |
| ·激光诱导击穿光谱技术优点 | 第14-15页 |
| ·激光诱导击穿光谱技术不足 | 第15-16页 |
| ·激光诱导击穿光谱技术的应用 | 第16-18页 |
| ·材料分析领域 | 第17页 |
| ·工业生产领域 | 第17页 |
| ·文物珠宝鉴定 | 第17页 |
| ·环境监测领域 | 第17-18页 |
| ·高危领域的检测 | 第18页 |
| ·本课题的研究意义及内容 | 第18-20页 |
| ·课题意义 | 第18-19页 |
| ·本文内容 | 第19-20页 |
| 第2章 激光诱导击穿光谱原理 | 第20-30页 |
| ·激光诱导击穿光谱系统整体原理 | 第20-21页 |
| ·激光诱导等离子体形成理论 | 第21-25页 |
| ·激光与样品间的作用 | 第21-24页 |
| ·等离子体的形成 | 第24-25页 |
| ·激光诱导等离子体形态 | 第25-26页 |
| ·谱线展宽 | 第25-26页 |
| ·激光诱导等离子体的参数 | 第26-27页 |
| ·等离子体温度 | 第26-27页 |
| ·等离子体电子密度 | 第27页 |
| ·激光诱导原子发射光谱 | 第27-28页 |
| ·激光诱导击穿光谱检测方法 | 第28-29页 |
| ·本章小节 | 第29-30页 |
| 第3章 实验设计 | 第30-38页 |
| ·样品制备 | 第30-31页 |
| ·硅中金属扩散分析 | 第30-31页 |
| ·样品制备方案 | 第31页 |
| ·实验仪器与设备 | 第31-36页 |
| ·激光诱导击穿光谱仪 | 第31-35页 |
| ·其他相关实验仪器 | 第35-36页 |
| ·实验方法 | 第36-37页 |
| ·本章小节 | 第37-38页 |
| 第4章 环境气压对激光诱导击穿光谱的影响 | 第38-43页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·测试说明 | 第38页 |
| ·实验结果和讨论 | 第38-42页 |
| ·本章小节 | 第42-43页 |
| 第5章 硅片中铝元素的扩散浓度检测 | 第43-52页 |
| ·样品的制备 | 第43页 |
| ·样品的表征 | 第43页 |
| ·样品检测方法 | 第43-44页 |
| ·样品的晶体结构和形貌 | 第44-46页 |
| ·EDS 扫描结果 | 第46-47页 |
| ·实验测试结果 | 第47-51页 |
| ·本章小节 | 第51-52页 |
| 第6章 硅片中其他金属的扩散浓度检测 | 第52-59页 |
| ·硅片中锡元素的检测 | 第52-54页 |
| ·硅片中锡元素的定性分析 | 第52-53页 |
| ·硅片中锡元素的扩散分布 | 第53-54页 |
| ·硅片中锰元素的检测 | 第54-56页 |
| ·硅片中锰元素的定性分析 | 第54-55页 |
| ·硅片中锰元素的扩散分布 | 第55-56页 |
| ·硅片中锗元素的检测 | 第56-58页 |
| ·硅片中锗元素的定性分析 | 第56-57页 |
| ·硅片中锗元素的扩散分布 | 第57-58页 |
| ·本章小节 | 第58-59页 |
| 第7章 结论与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录 | 第67页 |
