半导体激光器芯片减薄、抛光工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-9页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第8-9页 |
| 第2章 半导体激光器原理及其芯片工艺 | 第9-21页 |
| ·半导体激光器概况 | 第9-12页 |
| ·半导体激光器原理 | 第9-11页 |
| ·半导体激光器制造工艺 | 第11-12页 |
| ·半导体芯片减薄技术概述 | 第12-13页 |
| ·提高芯片的散热性能要求 | 第12页 |
| ·IC电路制造工艺的要求 | 第12页 |
| ·减薄后芯片的优点 | 第12-13页 |
| ·几种超精密减薄技术 | 第13-17页 |
| ·磁流体研磨 | 第13-14页 |
| ·弹性发射加工 | 第14页 |
| ·动压浮起平面研磨 | 第14-15页 |
| ·超声波研磨 | 第15页 |
| ·电解磁力研磨 | 第15-16页 |
| ·精密砂带研磨 | 第16页 |
| ·砂轮约束磨粒喷射 | 第16-17页 |
| ·垂直缓进给减薄原理 | 第17页 |
| ·半导体抛光技术概述 | 第17-18页 |
| ·半导体器件抛光技术的要求及优点 | 第18页 |
| ·几种抛光技术 | 第18-20页 |
| ·机械抛光 | 第18页 |
| ·化学抛光 | 第18页 |
| ·电解抛光 | 第18-19页 |
| ·纳米抛光 | 第19页 |
| ·化学机械抛光 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 LD芯片减薄及其抛光工艺的理论分析 | 第21-33页 |
| ·减薄、抛光的理论要求 | 第21页 |
| ·减薄,抛光颗粒的数学模型 | 第21-23页 |
| ·摇摆式减薄理论 | 第23-25页 |
| ·垂直缓进给减薄原理 | 第23-24页 |
| ·摇摆式垂直切深进给减薄原理 | 第24-25页 |
| ·CMP抛光理论 | 第25-29页 |
| ·CMP的发展与应用 | 第25页 |
| ·化学机械抛光装置 | 第25-26页 |
| ·化学机械抛光原理 | 第26-28页 |
| ·GaAs材料化学机械抛光过程 | 第28-29页 |
| ·晶片减薄、抛光的质量要求 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 减薄工艺实验研究 | 第33-40页 |
| ·实验方案 | 第33-34页 |
| ·减薄实验讨论 | 第34-39页 |
| ·磨料的选择 | 第34-36页 |
| ·减薄压力对芯片粗糙度的影响 | 第36-38页 |
| ·减薄机转速对芯片粗糙度的影响 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 化学机械抛光工艺实验研究 | 第40-47页 |
| ·实验方案 | 第40页 |
| ·化学机械抛光实验讨论 | 第40-46页 |
| ·抛光垫的选取 | 第40-41页 |
| ·抛光料的选取 | 第41页 |
| ·抛光压力对芯片粗糙度以及残余应力的影响 | 第41-43页 |
| ·抛光转速对芯片粗糙度以及残余应力的影响 | 第43-45页 |
| ·粗糙度与残余应力对欧姆电阻的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第6章 结论与展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士期间发表的有关论文 | 第52页 |
