二元交替掺杂钛酸锶钡薄膜生长行为研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·BST 薄膜结构及介电性能 | 第12-15页 |
| ·BST 薄膜简介 | 第12页 |
| ·BST 薄膜结构 | 第12-13页 |
| ·BST 薄膜介电性能 | 第13-14页 |
| ·BST 薄膜掺杂 | 第14-15页 |
| ·BST 薄膜生长机理研究 | 第15-18页 |
| ·BST 薄膜生长机理 | 第15-16页 |
| ·缓冲层对薄膜生长的影响 | 第16-18页 |
| ·BST 薄膜生长动力学研究现状 | 第18-22页 |
| ·生长动力学研究方法 | 第18-20页 |
| ·生长动力学研究进展 | 第20-21页 |
| ·生长动力学研究难题 | 第21-22页 |
| ·本论文研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 BST 薄膜 SOL-GEL 法工艺 | 第24-33页 |
| ·Sol-Gel 法工艺流程 | 第24-26页 |
| ·Sol-Gel 法基本原理 | 第24-25页 |
| ·Sol-Gel 法机理分析 | 第25页 |
| ·Sol-Gel 法工艺流程 | 第25-26页 |
| ·Sol-Gel 法 BST 薄膜的制备 | 第26-31页 |
| ·主要试剂的选取 | 第26-28页 |
| ·主要仪器设备的选取 | 第28页 |
| ·基片的清洗 | 第28-31页 |
| ·样品测试 | 第31-32页 |
| ·XRD 测试 | 第31页 |
| ·AFM 测试 | 第31-32页 |
| ·C-V 测试 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 二元交替掺杂 BST 薄膜生长结构研究 | 第33-53页 |
| ·薄膜生长模型建立 | 第33-37页 |
| ·Mg/K 与 K/Mg 二元交替生长模型 | 第33-35页 |
| ·Mg/Mg 与 K/K 单一掺杂生长模型 | 第35-36页 |
| ·BST/BST 未掺杂生长模型 | 第36-37页 |
| ·薄膜生长方式研究 | 第37-52页 |
| ·XRD 测试研究 | 第37-43页 |
| ·K/Mg 二元交替薄膜 XRD 曲线 | 第37-38页 |
| ·Mg/K 二元交替薄膜 XRD 曲线 | 第38-39页 |
| ·各类型薄膜 XRD 曲线 | 第39-43页 |
| ·AFM 测试研究 | 第43-52页 |
| ·1%浓度二元交替掺杂薄膜 AFM 图像 | 第43-47页 |
| ·K 和 Mg 单一掺杂薄膜 AFM 图像 | 第47-50页 |
| ·5%浓度二元交替掺杂薄膜 AFM 图像 | 第50-51页 |
| ·纯 BST 薄膜 AFM 图像 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 二元交替掺杂 BST 薄膜生长验证及优化 | 第53-73页 |
| ·K/Mg 二元交替薄膜介电性能研究 | 第53-55页 |
| ·Mg/K 二元交替薄膜介电性能研究 | 第55-57页 |
| ·各类型薄膜介电性能研究 | 第57-72页 |
| ·层数对薄膜介电性能的影响 | 第57-70页 |
| ·三层时各类型薄膜介电性能 | 第57-59页 |
| ·四层时各类型薄膜介电性能 | 第59-61页 |
| ·五层时各类型薄膜介电性能 | 第61-63页 |
| ·六层时各类型薄膜介电性能 | 第63-65页 |
| ·七层时各类型薄膜介电性能 | 第65-67页 |
| ·八层时各类型薄膜介电性能 | 第67-70页 |
| ·浓度对薄膜介电性能的影响 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
