| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·发展动态 | 第11-15页 |
| ·GaN HEM 低噪声器件发展动态 | 第11-12页 |
| ·GaN HEMT 建模发展动态 | 第12-14页 |
| ·GaN HEMT 高效率功率放大器发展动态 | 第14-15页 |
| ·本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN 低噪声 HEMT 物理模型研究 | 第16-36页 |
| ·GaN HTMT 工作机理 | 第16-20页 |
| ·GaN HTMT 器件结构 | 第16页 |
| ·GaN HEMT 二维电子气的形成 | 第16-19页 |
| ·GaN HEMT 势阱的形成 | 第19页 |
| ·GaN HEMT 放大机理 | 第19-20页 |
| ·GaN HEMT 噪声基础 | 第20-23页 |
| ·器件噪声的表征参数 | 第20页 |
| ·有源二端口网络噪声系数的一般表达式 | 第20-21页 |
| ·噪声源的分类与特点 | 第21-23页 |
| ·AlN 插入层对 AlxGa1-xN/InGaN/GaN HEMT 高频噪声的影响 | 第23-29页 |
| ·器件结构模型 | 第23-24页 |
| ·数值物理模型的建立 | 第24-26页 |
| ·模型的验证与分析 | 第26-27页 |
| ·AlN 插入层对 GaN HEMT 高频噪声性能的影响 | 第27-29页 |
| ·槽栅结构对 GAN HEMT 高频噪声特性影响研究 | 第29-35页 |
| ·数值物理模型的建立 | 第29-30页 |
| ·模型的验证与分析 | 第30-31页 |
| ·槽栅 GaN HEMT 高频噪声特性研究 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 GaN HEMT 低噪声等效电路模型及器件设计研究 | 第36-48页 |
| ·GaN HEMT 小信号等效电路模型 | 第36-40页 |
| ·GaN HEMT 小信号模型参数提取 | 第37-39页 |
| ·GaN HEMT 小信号模型参数的优化 | 第39-40页 |
| ·GaN HEMT 噪声等效电路模型 | 第40-43页 |
| ·噪声等效电路模型的建立 | 第40-41页 |
| ·噪声等效电路模型的讨论与分析 | 第41-43页 |
| ·GaN HEMT 低噪声器件设计 | 第43-47页 |
| ·稳定性分析 | 第43-44页 |
| ·匹配网络设计 | 第44-46页 |
| ·测试结果与分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 逆 F 类 GaN HEMT 高效率功率放大器设计 | 第48-75页 |
| ·功率放大器分类 | 第48-59页 |
| ·传统功率放大器 | 第48-49页 |
| ·效率理论分析 | 第49-55页 |
| ·F 类功率放大器 | 第55-56页 |
| ·逆 F 类功率放大器 | 第56-59页 |
| ·GaN 逆 F 类功率放大器设计 | 第59-65页 |
| ·直流特性分析 | 第60-61页 |
| ·负载牵引与源牵引 | 第61-62页 |
| ·谐波匹配网络设计 | 第62-63页 |
| ·谐波平衡分析 | 第63-65页 |
| ·基片与腔体设计 | 第65页 |
| ·逆 F 类功放测试与分析 | 第65-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论 | 第75-77页 |
| ·本文的主要贡献 | 第75-76页 |
| ·下一步工作的展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻硕期间参与的项目与取得的研究成果 | 第82-83页 |
