中文摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-22页 |
·本课题的研究背景 | 第11-16页 |
·问题的提出 | 第11页 |
·分形理论发展简述 | 第11-12页 |
·分形理论定义 | 第12-13页 |
·分形理论重要组成 | 第13-14页 |
·分形的基本特征 | 第14-15页 |
·分形图形分类 | 第15页 |
·分形几何与传统欧氏几何图形区别 | 第15-16页 |
·分形 DLA 模型应用研究现状 | 第16-20页 |
·超薄膜分形生长 | 第16页 |
·电化学沉积 | 第16-17页 |
·液态薄膜的粘滞指凸 | 第17-18页 |
·霜晶的分形生长 | 第18页 |
·DLA 分形模型的其他应用 | 第18-20页 |
·本课题研究的目的及意义 | 第20页 |
·本课题主要研究内容 | 第20-22页 |
第二章 标准 DLA 分形模型研究及改进 | 第22-37页 |
·标准 DLA 分形模型简介 | 第22-25页 |
·种子粒子为一个像素点时的标准 DLA 分形模型 | 第22-23页 |
·种子粒子为一条直线时的标准 DLA 分形模型 | 第23-24页 |
·两种标准 DLA 分形模型的比较 | 第24-25页 |
·DLA 模型中的参数控制方法及其对图像形态的影响 | 第25-36页 |
·改变距离 d 的算法对图像形态的影响 | 第25-26页 |
·控制种子粒子数和粒子释放位置对图像形态的影响 | 第26-27页 |
·改变一个生长中心为多个生长中心 | 第27页 |
·控制粒子生长方向对图像形态的影响 | 第27-28页 |
·改变粒子运动步长,缩短团簇生长时间 | 第28-29页 |
·控制游走粒子运动步数以及粘附粒子总数以改变团簇生成数量 | 第29页 |
·增加边界限制条件以改变分形图外轮廓形状 | 第29-30页 |
·改变随机粒子释放位置 | 第30-31页 |
·利用概率和旋转角度控制团簇分枝 | 第31-32页 |
·改变游走粒子粘附条件 | 第32-33页 |
·改变每次释放的粒子个数 | 第33-34页 |
·增大游走粒子像素并限制其游走步数 | 第34页 |
·随机释放粒子的范围逐渐缩小 | 第34-35页 |
·游走粒子向四周运动概率不同 | 第35-36页 |
·本章小结 | 第36-37页 |
第三章 用 DLA 分形模型模拟花状聚集体的生长形态 | 第37-50页 |
·花状聚集体在不同外界条件下生长的外形特点 | 第37-38页 |
·花状聚集体的分形特征 | 第38-42页 |
·分形维数的定义 | 第38-39页 |
·分形维数的测定方法 | 第39-41页 |
·花状聚集体分形特征的判定 | 第41-42页 |
·DLA 分形模型的建立 | 第42-44页 |
·通过允许游走粒子脱离团簇继续游走来模拟 | 第42-44页 |
·通过限制游走粒子运动步数来模拟 | 第44页 |
·模拟结果及分析 | 第44-48页 |
·模型 I 模拟结果分析 | 第45-46页 |
·模型 II 模拟结果分析 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第四章 DLA 模型对高聚物聚集体生长形态的模拟 | 第50-68页 |
·高聚物溶液的制备 | 第50页 |
·实验材料和仪器 | 第50页 |
·高聚物溶液的制备方法 | 第50页 |
·高聚物聚集体生长图像的获取及预处理 | 第50-54页 |
·高聚物溶液较多时获取的高聚物聚集体图像 | 第51-52页 |
·高聚物溶液较少时获取的高聚物聚集体图像 | 第52-54页 |
·高聚物聚集体生长特点描述 | 第54-55页 |
·高聚物聚集体生长过程描述 | 第54-55页 |
·高聚物聚集体生长高度变化过程 | 第55页 |
·高聚物聚集体的分形特征 | 第55-59页 |
·高聚物聚集体的外观特征 | 第55-56页 |
·高聚物聚集体的分形特征及其维数 | 第56-59页 |
·用 DLA 分形模型对高聚物聚集体各阶段生长形态进行模拟 | 第59页 |
·模拟结果及分析 | 第59-67页 |
·模拟前后聚集体各生长阶段高度变化比较 | 第65-66页 |
·模拟前后聚集体密集程度变化比较 | 第66页 |
·模拟前后聚集体各生长阶段分形维数变化比较 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
第五章 结论和展望 | 第68-71页 |
·结论 | 第68-70页 |
·展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
附录Ⅰ | 第76-78页 |
附录Ⅱ | 第78-80页 |
附录Ⅲ | 第80-83页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第83-84页 |
致谢 | 第84-85页 |