| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-14页 |
| ·分子电子学的产生背景及实验研究 | 第10-12页 |
| ·分子电子学的理论模拟研究进展 | 第12-13页 |
| ·本论文主要的研究内容及研究意义 | 第13-14页 |
| 2 理论计算方法 | 第14-25页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-18页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac 模型 | 第14-15页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第15页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第15-16页 |
| ·交换相关泛函 | 第16-18页 |
| ·格林函数方法 | 第18-21页 |
| ·平衡格林函数方法 | 第18-19页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第19-21页 |
| ·分子器件电子输运性质的第一性原理计算 | 第21-25页 |
| ·Landauer-Büttiker 公式 | 第21页 |
| ·分子导体电子输运性质的第一性原理计算方案 | 第21-25页 |
| 3 C_(13)H_(12)N_2分子与电极的不同接触位置对电子输运性质的影响 | 第25-34页 |
| ·研究现状 | 第25页 |
| ·模型和计算细节 | 第25-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-33页 |
| ·不同接触位置对电子输运性质的影响 | 第27-31页 |
| ·有限偏压输运性质 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 不同接触位置对氧化还原分子 PTM 开关效应的影响 | 第34-40页 |
| ·研究现状 | 第34页 |
| ·模型和计算细节 | 第34-36页 |
| ·结果和讨论 | 第36-39页 |
| ·分子与电极的接触位置对电子输运性质的影响 | 第36-38页 |
| ·有限偏压下的电子输运性质 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 总结与展望 | 第40-41页 |
| ·论文的主要内容总结 | 第40页 |
| ·展望 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表和完成的论文及奖励 | 第46页 |