| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-31页 |
| ·半导体量子点概述 | 第16-24页 |
| ·量子点的基本概念 | 第16-17页 |
| ·量子效应 | 第17-19页 |
| ·半导体量子点光学特性 | 第19-24页 |
| ·胶质半导体量子点研究进展及应用领域 | 第24-28页 |
| ·胶质半导体量子点的研究进展 | 第24-25页 |
| ·半导体量子点的应用领域 | 第25-28页 |
| ·本论文研究思路和主要内容 | 第28-31页 |
| 第二章 胶质半导体量子点的能级结构 | 第31-41页 |
| ·量子点激子能量研究进展 | 第32-34页 |
| ·量子点激子能量结构模型 | 第34-36页 |
| ·PbSe 量子点能级结构的计算 | 第36-41页 |
| ·LUMO 与 HOMO 的计算 | 第37-38页 |
| ·库伦作用的计算 | 第38-41页 |
| 第三章 胶质 PbSe 量子点的合成与表征 | 第41-55页 |
| ·量子点的合成方法 | 第41-42页 |
| ·量子点的生长动力学 | 第42-45页 |
| ·量子点的制备 | 第45-55页 |
| ·原料 | 第45-47页 |
| ·合成与提纯 | 第47-48页 |
| ·量子点的表征 | 第48-55页 |
| 第四章 PbSe 量子点温度依赖的光学特性 | 第55-79页 |
| ·量子点温度特性研究进展 | 第56-58页 |
| ·温度特性实验设计 | 第58页 |
| ·随温度变化的光学特性 | 第58-62页 |
| ·温度以及尺寸依赖的 PL 光谱 | 第58-61页 |
| ·光谱随温度变化的可逆性 | 第61-62页 |
| ·禁带随温度变化的关系 | 第62-68页 |
| ·晶格热膨胀对禁带的影响 | 第63-64页 |
| ·尺寸受限能对禁带的影响 | 第64-66页 |
| ·库伦作用能对禁带的影响 | 第66页 |
| ·激子声子耦合作用能对禁带的影响 | 第66-68页 |
| ·极化能对禁带的影响 | 第68页 |
| ·发光强度随温度变化的关系 | 第68-71页 |
| ·FWHM 随温度变化的关系 | 第71-74页 |
| ·量子点温度传感器 | 第74-79页 |
| 第五章 基于 PbSe 量子点的 GaN LED 芯片表面温度实时检测系统 | 第79-95页 |
| ·微米级温度传感器系统设计 | 第79-83页 |
| ·设计需求 | 第79-80页 |
| ·GaN LED 表面温度传感器方案设计 | 第80-83页 |
| ·GaN LED 特性研究 | 第83-88页 |
| ·发光特性 | 第83-85页 |
| ·芯片表面温度的测量 | 第85-88页 |
| ·PbSe 量子点温度传感器 | 第88-95页 |
| ·温度依赖的光谱特性 | 第88-90页 |
| ·温度定标公式 | 第90-91页 |
| ·精度与稳定性测量 | 第91-95页 |
| 第六章 文章总结与改进建议 | 第95-99页 |
| ·研究结论和创新点 | 第95-97页 |
| ·改进建议 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-118页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120页 |